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STD80N240K6

Name: STMicroelectronics STD80N240K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD80N240K6
Price: 2999 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STD80N240K6

Fabricante N.º:

STD80N240K6

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

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₡-

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡2 999	₡2 999
	₡2 198	₡21 980
	₡1 775	₡177 500
	₡1 578	₡789 000
	₡1 351	₡1 351 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡1 351	₡3 377 500

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	800 V
Id - Corriente de drenaje continua:	16 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	220 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	25.9 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	105 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	330 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STD80N240K6 800V 16A MDmesh K6 Power MOSFET

STMicroelectronics STD80N240K6 800V 16A MDmesh™ K6 Power MOSFET offers an excellent R_DS(on) x area and a low total gate charge (Q_g), enabling high switching speeds and low losses. An integrated ESD protection diode increases the overall ruggedness of the STD80N240K6 MOSFET up to Human Body Model (HBM) Class 2. The MDmesh K6 MOSFETs have a reduced threshold voltage compared with the previous MDmesh K5 generation, enabling a lower driving voltage and thus reducing power losses and gaining efficiency mainly for zero-watt standby applications. The STD80N240K6 is optimized for lighting applications based on flyback topology, such as LED drivers and HID lamps. The device is also ideal for adapters and power supplies for flat-panel displays.

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.