Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TSM043NH04LCR RLG
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TSM076NH04DCR RLG

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Taiwan Semiconductor
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TSM019NH04LCR RLG

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₡775,26

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TSM032NH04CR RLG

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₡380,58

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PDFN56U-8

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Taiwan Semiconductor
1: ₡2 038,44
2 400En existencias

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TSM019NH04CR RLG

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821-TSM019NH04CRRLG

Taiwan Semiconductor

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₡2 038,44

₡1 339,08

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₡829,47

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PDFN56U-8

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1 Channel

40 V

100 A

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Enhancement

AEC-Q101

PerFET

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TSM056NH04CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: ₡1 095,12
2 500En existencias

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TSM056NH04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM056NH04CRRLG

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Cinta cortada

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₡468,95

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₡305,77

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PDFN56U-8

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1 Channel

40 V

54 A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM056NH04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: ₡1 095,12
2 500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM056NH04LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM056NH04LCRRLG

Taiwan Semiconductor

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₡1 095,12

₡699,36

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₡305,77

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SMD/SMT

PDFN56U-8

N-Channel

1 Channel

40 V

54 A

5.6 mOhms

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AEC-Q101

PerFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM070NH04CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: ₡878,26
2 496En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM070NH04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM070NH04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

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₡878,26

₡558,40

₡372,45

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Envase tipo carrete

₡239,62

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SMD/SMT

PDFN56U-8

N-Channel

1 Channel

40 V

54 A

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- 20 V, 20 V

3.6 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

PerFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM019NH04CR-V RLG
Taiwan Semiconductor
1: ₡4 082,29
5 000En existencias

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TQM019NH04CR-V RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM019NH04CRVRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

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₡4 082,29

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₡1 935,43

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SMD/SMT

PDFN-56

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

PerFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 52A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM145NH08CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: ₡1 078,85
5 000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TQM145NH08CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM145NH08CRRLG

Nuevo producto

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 52A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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₡1 078,85

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₡370,28

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₡324,20

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

PDFN56U

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Enhancement

AEC-Q101

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 34A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM240NH10CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: ₡937,90
4 978En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TQM240NH10CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM240NH10CRRLG

Nuevo producto

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 34A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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4 978En existencias

Cinta cortada

₡937,90

₡596,35

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