40V N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor 40V N-Channel Power MOSFETs are designed to operate on PerFET™ power transistor technology and operate at 40V Drain Source Voltage (VDS). These MOSFETs feature ultra-low on-resistance and wettable flank leads for enhanced AOI. The N-Channel Power MOSFETs are halogen-free, RoHS compliant, and 100% UIS and Rg tested. Typical applications of N-channel power MOSFETs include DC-DC converters, load switches, solenoids, and motor drivers.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
4 995En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 40 V 54 A 7 mOhms - 16 V, 16 V 2.2 V 11 nC - 55 C + 175 C 46.8 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
1 750En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 40 V 54 A 5.6 mOhms - 16 V, 16 V 2.2 V 14.2 nC - 55 C + 175 C 78.9 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 40A, Dual N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
898En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 2 Channel 40 V 40 A 7.6 mOhms - 16 V, 16 V 2.2 V 10.7 nC - 55 C + 175 C 46.8 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
2 400En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 89 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement PerFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
2 500En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.9 mOhms - 16 V, 16 V 2.2 V 49 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement PerFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 81A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
2 500En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 1 Channel 40 V 81 A 3.2 mOhms - 16 V, 16 V 2.2 V 23.7 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement PerFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
2 500En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 1 Channel 40 V 54 A 7 mOhms - 16 V, 16 V 2.2 V 11 nC - 55 C + 175 C 46.8 W Enhancement PerFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 5 000
Mult.: 2 500
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PDFN-56 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.9 V 59 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 5 000
Mult.: 2 500
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PDFN-56 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms - 16 V, 16 V 1.9 V 63.3 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 106A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 5 000
Mult.: 2 500
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 80 V 110 A 5.8 mOhms 20 V 2.2 V 17 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 110A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 5 000
Mult.: 2 500
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 80 V 106 A 6.3 mOhms 20 V 3.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 72A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 5 000
Mult.: 2 500
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 100 V 72 A 10 mOhms 20 V 3.6 V 14 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 72A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 5 000
Mult.: 2 500
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 100 V 72 A 10 mOhms 20 V 2.2 V 13 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 54A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 5 000
Mult.: 2 500
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 80 V 54 A 13 mOhms 20 V 2.2 V 8.4 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 50A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 5 000
Mult.: 2 500
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 17 mOhms 20 V 3.6 V 8.4 nC - 55 C + 175 C 97 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 50A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 5 000
Mult.: 2 500
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 17 mOhms 20 V 2.2 V 8.7 nC - 55 C + 175 C 97 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 33A, Dual N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 5 000
Mult.: 2 500
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56 Dual N-Channel 2 Channel 80 V 33 A 21 mOhms 20 V 2.2 V 5.8 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 31A, Dual N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 5 000
Mult.: 2 500
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56 Dual N-Channel 2 Channel 80 V 31 A 23 mOhms 20 V 3.6 V 6.6 nC - 55 C + 175 C 49 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 34A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 5 000
Mult.: 2 500
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 100 V 34 A 24 mOhms 20 V 2.2 V 4.8 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel