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Soluciones automotrices

Las soluciones automotrices de Toshiba ofrecen varios dispositivos semiconductores automotrices que están diseñados para mejorar la seguridad de la conducción. Esto incluye sistemas avanzados de conducción asistida (ADAS) que utilizan un procesador de reconocimiento de imágenes. Toshiba ofrece tecnologías de semiconductores de vanguardia desde una perspectiva futura para ofrecer soluciones integrales de conducción asistida. Estas soluciones incluyen la autoconducción que emula los ojos humanos y otros sentidos humanos complejos.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK

TK65S04N1L,LQ
Toshiba
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TK65S04N1L,LQ

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757-TK65S04N1LLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK

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TB9061AFNG,EL
Toshiba
1: ₡4 351,09
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TB9061AFNG,EL

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757-TB9061AFNG,EL

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK

TK90S06N1L,LQ
Toshiba
1: ₡1 639,47
2 093En existencias

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TK90S06N1L,LQ

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757-TK90S06N1LLQ

Toshiba

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091

TJ40S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: ₡1 254,32
4 291En existencias

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TJ40S04M3L(T6L1,NQ

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK

TK100S04N1L,LQ
Toshiba
1: ₡1 951,75
3 603En existencias

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TK100S04N1L,LQ

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757-TK100S04N1LLQ

Toshiba

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DF3D36FU,LF
Toshiba
1: ₡260,23
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DF3D36FU,LF

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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode Bi-directional type

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK15S04N1L,LQ
Toshiba
1: ₡1 212,68
1 682En existencias

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TK15S04N1L,LQ

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757-TK15S04N1LLQ

Toshiba

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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor H-Bridge Drvr Automotive; AEC-Q100

TB9057FG
Toshiba
1: ₡5 459,68
1 735En existencias

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TB9057FG

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Transceptor de RF 2.0 to 5.5V -117dBm Automotive; AEC-Q

TC32306FTG,EL
Toshiba
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1 958En existencias

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TC32306FTG,EL

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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 1Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10

TB9051FTG,EL
Toshiba
1: ₡4 236,59
3 253En existencias

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TB9051FTG,EL

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757-TB9051FTG

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Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V

1SS302A,LF
Toshiba
1: ₡109,30
612 846En existencias

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1SS302A,LF

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757-1SS302ALF

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET

SSM3K341R,LF
Toshiba
1: ₡390,35
96 751En existencias
15 000Se espera el 29/6/2026

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SSM3K341R,LF

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Toshiba

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK

TK55S10N1,LQ
Toshiba
1: ₡2 035,02
2 105En existencias

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TK55S10N1,LQ

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757-TK55S10N1LQ

Toshiba

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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type

DF3D18FU,LF
Toshiba
1: ₡286,26
123 388En existencias

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DF3D18FU,LF

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757-DF3D18FULF

Toshiba

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS

SSM3J351R,LF
Toshiba
1: ₡343,51
58 365En existencias
126 000Se espera el 26/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J351R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J351RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS

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₡133,24

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₡71,30

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V

SSM3J356R,LF
Toshiba
1: ₡234,21
52 591En existencias
6 000Se espera el 26/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J356R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J356RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V

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6 000Se espera el 26/6/2026

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₡234,21

₡144,69

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₡68,18

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₡51,01

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

SSM3K2615R,LF
Toshiba
1: ₡489,24
42 552En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K2615R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K2615RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

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₡489,24

₡352,88

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₡113,98

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET

SSM3K361R,LF
Toshiba
1: ₡426,78
45 804En existencias
30 000Se espera el 26/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K361R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K361RLF

Toshiba

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₡263,88

₡170,19

₡129,60

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₡99,93

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218

TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: ₡1 264,73
5 342En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ30S06M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ30S06M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218

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₡1 264,73

₡811,93

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₡440,83

₡405,44

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₡377,86

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A

SSM3J377R,LF
Toshiba
1: ₡192,57
1 177En existencias
9 000Se espera el 26/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J377R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J377RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A

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₡117,63

₡73,91

₡54,65

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₡40,08

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

SSM3J378R,LF
Toshiba
1: ₡223,80
5 469En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J378R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J378RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

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₡223,80

₡137,92

₡86,92

₡65,06

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₡48,40

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

SSM3K361TU,LF
Toshiba
1: ₡400,76
4 841En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K361TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K361TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

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4 841En existencias

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₡400,76

₡247,74

₡159,78

₡121,27

Envase tipo carrete

₡93,16

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Mult.: 1

: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V

SSM3K62TU,LF
Toshiba
1: ₡296,67
5 792En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K62TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K62TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V

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₡183,72

₡117,10

₡95,25

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₡69,22

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: 3 000

Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q

1SS403,H3F
Toshiba
1: ₡140,53
15 033En existencias

N.º de artículo del Fabricante
1SS403,H3F

N.º de artículo de Mouser
757-1SS403H3F

Toshiba

Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q

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Cinta cortada

₡140,53

₡96,29

₡60,37

₡44,76

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₡30,19

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Mult.: 1

: 3 000

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Suppressors / TVS Diodes SNG Bi-directional. Automotive; AEC-Q101 option available

DF2B18FU,H3F
Toshiba
1: ₡161,34
20 206En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DF2B18FU,H3F

N.º de artículo de Mouser
757-DF2B18FUH3F

Toshiba

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Suppressors / TVS Diodes SNG Bi-directional. Automotive; AEC-Q101 option available

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₡161,34

₡98,37

₡42,68

₡37,47

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₡30,19

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