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Soluciones automotrices

Las soluciones automotrices de Toshiba ofrecen varios dispositivos semiconductores automotrices que están diseñados para mejorar la seguridad de la conducción. Esto incluye sistemas avanzados de conducción asistida (ADAS) que utilizan un procesador de reconocimiento de imágenes. Toshiba ofrece tecnologías de semiconductores de vanguardia desde una perspectiva futura para ofrecer soluciones integrales de conducción asistida. Estas soluciones incluyen la autoconducción que emula los ojos humanos y otros sentidos humanos complejos.

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1SS302A,LF
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TB9061AFNG,EL
Toshiba
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TB9061AFNG,EL

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DF3D18FU,LF
Toshiba
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DF3D36FU,LF
Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK

TK55S10N1,LQ
Toshiba
1: ₡1 978,80
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK

TK100S04N1L,LQ
Toshiba
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TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
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5 582En existencias

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091

TJ40S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: ₡1 306,55
4 315En existencias

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TJ40S04M3L(T6L1,NQ

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Toshiba
1: ₡975,85
2 537En existencias

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TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK15S04N1L,LQ
Toshiba
1: ₡1 181,86
1 682En existencias

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TK15S04N1L,LQ

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TB9057FG
Toshiba
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TB9057FG

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Transceptor de RF 2.0 to 5.5V -117dBm Automotive; AEC-Q

TC32306FTG,EL
Toshiba
1: ₡2 027,59
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TC32306FTG,EL

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112

TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: ₡1 599,31
2 513En existencias

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TJ60S06M3L(T6L1,NQ

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Toshiba

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK

TK65S04N1L,LQ
Toshiba
1: ₡1 583,04
2 070En existencias

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TK65S04N1L,LQ

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK

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DF2B36FU,H3F
Toshiba
1: ₡75,90
34 979En existencias

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DF2B36FU,H3F

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757-DF2B36FUH3F

Toshiba

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₡75,90

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS

SSM3J351R,LF
Toshiba
1: ₡319,86
86 049En existencias
126 000Se espera el 10/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J351R,LF

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757-SSM3J351RLF

Toshiba

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126 000Se espera el 10/7/2026

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₡197,88

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V

SSM3J356R,LF
Toshiba
1: ₡227,70
46 065En existencias
42 000Se espera el 15/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J356R,LF

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757-SSM3J356RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

SSM3K2615R,LF
Toshiba
1: ₡412,02
54 348En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K2615R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K2615RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

SSM3K318R,LF
Toshiba
1: ₡298,18
19 079En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K318R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K318RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

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₡298,18

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₡65,06

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET

SSM3K341R,LF
Toshiba
1: ₡406,60
37 832En existencias
78 000Se espera el 29/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K341R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K341RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET

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37 832En existencias

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₡250,47

₡161,01

₡122,52

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₡93,79

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET

SSM3K361R,LF
Toshiba
1: ₡444,55
52 111En existencias
30 000Se espera el 15/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K361R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K361RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET

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30 000Se espera el 15/5/2026

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₡274,86

₡177,28

₡134,99

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₡104,09

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK

TK90S06N1L,LQ
Toshiba
1: ₡1 599,31
2 193En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK90S06N1L,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK90S06N1LLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK

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₡552,98

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A

SSM3J377R,LF
Toshiba
1: ₡184,33
7 377En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J377R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J377RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A

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₡184,33

₡114,39

₡72,10

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₡37,95

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

SSM3J378R,LF
Toshiba
1: ₡216,85
5 648En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J378R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J378RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

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₡216,85

₡134,45

₡84,57

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₡45,54

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

SSM3K361TU,LF
Toshiba
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SSM3K361TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K361TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

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