Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Suppressors / TVS Diodes SNG Bi-directional. Automotive; AEC-Q101 option available
DF2B18FU,H3F
Toshiba
1:
₡178,91
21 227 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-DF2B18FUH3F
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Suppressors / TVS Diodes SNG Bi-directional. Automotive; AEC-Q101 option available
21 227 En existencias
1
₡178,91
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode Bi-directional type
DF2B36FU,H3F
Toshiba
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27 752 En existencias
45 000 Se espera el 17/9/2026
N.º de artículo de Mouser 757-DF2B36FUH3F
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode Bi-directional type
27 752 En existencias
45 000 Se espera el 17/9/2026
1
₡75,90
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type
DF3D29FU,LF
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-DF3D29FULF
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type
5 283 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet
SSM3K337R,LF
Toshiba
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3 536 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K337RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet
3 536 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V
SSM3K347R,LF
Toshiba
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V
4 258 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
SSM6N357R,LF
Toshiba
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222
TJ20S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-TJ20S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222
281 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
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443 En existencias
2 000 Se espera el 16/10/2026
N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S06M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
443 En existencias
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1 000
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2 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
TK55S10N1,LQ
Toshiba
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₡1 978,80
200 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 757-TK55S10N1LQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
200 En existencias
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1
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₡645,14
24 000
Presupuesto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V
SSM3K341TU,LF
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K341TULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V
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1
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1 000
₡100,84
6 000
₡76,44
9 000
₡73,73
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Carrete :3 000
Detalles
Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q
1SS403,H3F
Toshiba
1:
₡119,27
15 033 Se espera el 12/6/2026
N.º de artículo de Mouser 757-1SS403H3F
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q
15 033 Se espera el 12/6/2026
1
₡119,27
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3 000
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6 000
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1 000
₡37,95
6 000
₡22,77
9 000
₡21,14
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Detalles
Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current
1SS307E,L3F
Toshiba
1:
₡81,32
80 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 757-1SS307EL3F
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current
80 000 En pedido
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48 000 Se espera el 15/6/2026
32 000 Se espera el 16/10/2026
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22 Semanas
1
₡81,32
10
₡45,00
100
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500
₡24,94
1 000
Ver
8 000
₡10,30
1 000
₡16,81
5 000
₡13,55
8 000
₡10,30
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :8 000
Detalles
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
2SD1223(TE16L1,NQ)
Toshiba
1:
₡824,05
12 000 Se espera el 17/7/2026
N.º de artículo de Mouser 757-2SD1223TE16L1NQ
Toshiba
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
12 000 Se espera el 17/7/2026
1
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₡220,65
4 000
Ver
1 000
₡246,13
4 000
₡199,51
10 000
₡179,45
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Carrete :2 000
Detalles
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode SNG Bi-directional
DF2B29FU,H3F
Toshiba
1:
₡173,48
20 962 En pedido
N.º de artículo de Mouser 757-DF2B29FUH3F
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode SNG Bi-directional
20 962 En pedido
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En pedido:
6 000 Pendiente
12 000 Se espera el 26/5/2026
2 962 Se espera el 28/5/2026
Plazo de entrega de fábrica:
19 Semanas
1
₡173,48
10
₡103,55
100
₡60,18
500
₡43,91
3 000
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6 000
Ver
1 000
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6 000
₡26,56
9 000
₡22,23
24 000
₡20,60
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V
SSM3H137TU,LF
Toshiba
1:
₡379,50
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3H137TULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V
No en existencias
1
₡379,50
10
₡234,20
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₡114,39
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₡85,12
6 000
Ver
1 000
₡103,01
6 000
₡77,53
9 000
₡75,36
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3 000
Detalles
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Brushless MCD Automotive; AEC-Q10
TB9081FG
Toshiba
1 600:
₡4 510,58
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TB9081FG
Toshiba
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Brushless MCD Automotive; AEC-Q10
No en existencias
Comprar
Min.: 1 600 Mult.: 1 600
Detalles
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 2Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10
+3 imágenes
TB9101FNG,EL
Toshiba
2 000:
₡1 420,40
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TB9101FNG,EL
Toshiba
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 2Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10
No en existencias
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Min.: 2 000 Mult.: 2 000
Carrete :2 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
2 000:
₡296,55
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ80S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
No en existencias
2 000
₡296,55
4 000
₡281,37
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Min.: 2 000 Mult.: 2 000
Carrete :2 000
Detalles
Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q
Toshiba 1SS403TPH3F
1SS403TPH3F
Toshiba
6 000:
₡41,74
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 757-1SS403(TPH3,F)
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q
No en existencias
6 000
₡41,74
12 000
₡39,03
24 000
₡35,78
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Min.: 6 000 Mult.: 6 000
Carrete :3 000
Detalles
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