Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode SNG Bi-directional
DF2B29FU,H3F
Toshiba
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode SNG Bi-directional
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode Bi-directional type
DF2B36FU,H3F
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode Bi-directional type
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type
DF3D29FU,LF
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A
SSM3J378R,LF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V
SSM3K347R,LF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
SSM3K376R,LF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
SSM6N357R,LF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222
TJ20S04M3L(T6L1,NQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104
2 565 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
TK65S04N1L,LQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
TK90S06N1L,LQ
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2 000 Se espera el 20/2/2026
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757-TK90S06N1LLQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V
SSM3H137TU,LF
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3H137TULF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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Mult.: 1
Detalles
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
2SD1223(TE16L1,NQ)
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Plazo de entrega 21 Semanas
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757-2SD1223TE16L1NQ
Toshiba
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
Plazo de entrega 21 Semanas
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4 000
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10 000
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Brushless MCD Automotive; AEC-Q10
TB9081FG
Toshiba
1 600:
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N.º de artículo de Mouser
757-TB9081FG
Toshiba
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Brushless MCD Automotive; AEC-Q10
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Detalles
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 2Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10
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TB9101FNG,EL
Toshiba
2 000:
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N.º de artículo de Mouser
757-TB9101FNG,EL
Toshiba
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 2Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
N.º de artículo de Mouser
757-TJ80S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
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Mult.: 2 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 20A 40V 38W 820pF 0.014
TK20S04K3L(T6L1,NQ
Toshiba
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No en existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK20S04K3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 20A 40V 38W 820pF 0.014
No en existencias
2 000
₡281
4 000
₡266
10 000
₡263
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Mult.: 2 000
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Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q
Toshiba 1SS403TPH3F
1SS403TPH3F
Toshiba
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No en existencias
N.º de artículo de Mouser
757-1SS403(TPH3,F)
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q
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6 000
₡44,7
12 000
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