MOSFETs de SiC – Mouser Costa Rica

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Automotive-Grade Silicon Carbide Power MOSFETs

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado automotor de STMicroelectronics están desarrollados con la innovadora tecnología MOSFET SiC de 2da/3ra generación de ST. Los dispositivos cuentan con bajo nivel de resistencia de encendido por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. Los MOSFET cuentan con una capacidad de temperatura en funcionamiento muy alta (TJ = 200°C), y un diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y sólido.

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

SCT020HU120G3AG
STMicroelectronics
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SCT020HU120G3AG

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511-SCT020HU120G3AG

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STMicroelectronics

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Cinta cortada

₡11 845,79

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Envase tipo carrete

₡6 766,05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

555 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

SCT012W90G3-4AG
STMicroelectronics
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630En existencias

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STMicroelectronics

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₡11 554,33

₡7 281,31

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Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

15.8 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

138 nC

- 55 C

+ 200 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
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542En existencias

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511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

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₡11 132,75

₡9 628,61

₡9 113,35

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

15 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

167 nC

- 55 C

+ 200 C

673 W

Enhancement

AEC-Q101

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SCT020W120G3-4AG
STMicroelectronics
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₡10 529,02

₡6 583,89

₡6 261,20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

Hip247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 200 C

541 W

Enhancement

AEC-Q101

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SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1: ₡9 862,82
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600Se espera el 14/5/2027

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₡9 862,82

₡6 136,29

₡5 756,35

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

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SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
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₡7 229,26

₡5 079,74

₡3 877,47

Min.: 1
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Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

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SCT012H90G3AG
STMicroelectronics
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11En existencias
1 000Se espera el 5/3/2027

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Cinta cortada

₡11 455,44

₡8 218,15

₡7 463,47

₡7 458,27

Envase tipo carrete

₡6 969,03

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

12 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

138 nC

- 55 C

+ 175 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

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SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
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₡10 981,82

₡7 577,98

₡6 916,99

₡6 360,09

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Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

SCT040HU65G3AG
STMicroelectronics
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SCT040HU65G3AG

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511-SCT040HU65G3AG

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Cinta cortada

₡7 093,94

₡4 949,63

₡4 023,20

Envase tipo carrete

₡3 757,76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

40 mOhms

- 30 V, + 30 V

5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

SCTW40N120G2VAG
STMicroelectronics
1: ₡10 497,79
5En existencias
600Se espera el 19/2/2027

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SCTW40N120G2VAG

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511-SCTW40N120G2VAG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

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5En existencias

600Se espera el 19/2/2027

₡10 497,79

₡5 943,71

₡5 621,03

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

100 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.9 V

61 nC

- 55 C

+ 200 C

278 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

SCT011HU75G3AG
STMicroelectronics
1: ₡14 297,18
1 200Se espera el 12/3/2027
Nuevo producto

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SCT011HU75G3AG

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511-SCT011HU75G3AG

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MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

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Cinta cortada

₡14 297,18

₡10 981,82

₡9 862,82

Envase tipo carrete

₡8 931,19

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

110 A

15 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.2 V

154 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

SCT016H120G3AG
STMicroelectronics
1: ₡12 996,02
1 985En pedido
Nuevo producto

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SCT016H120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT016H120G3AG

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STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

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1 985En pedido

Cinta cortada

₡12 996,02

₡9 394,40

₡8 759,43

₡8 754,23

Envase tipo carrete

₡8 181,72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

112 A

22 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT025H120G3AG
STMicroelectronics
1: ₡9 404,81
1 997Se espera el 12/3/2027

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SCT025H120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT025H120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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1 997Se espera el 12/3/2027

Cinta cortada

₡9 404,81

₡6 781,66

₡5 917,69

₡5 678,28

Envase tipo carrete

₡5 522,14

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

SCT040H120G3AG
STMicroelectronics
1: ₡7 093,94
996Se espera el 1/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT040H120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040H120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

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Hoja de datos

996Se espera el 1/10/2026

Cinta cortada

₡7 093,94

₡4 949,63

₡4 023,20

Envase tipo carrete

₡3 757,76

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

SCT040HU120G3AG
STMicroelectronics
1: ₡7 520,73
1 200Se espera el 5/2/2027
Nuevo producto

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SCT040HU120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040HU120G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

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Hoja de datos

1 200Se espera el 5/2/2027

Cinta cortada

₡7 520,73

₡5 589,80

₡4 637,35

Envase tipo carrete

₡4 054,43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055HU65G3AG
STMicroelectronics
1: ₡7 041,90
1 800Se espera el 29/1/2027

N.º de artículo del Fabricante
SCT055HU65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT055HU65G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

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1 800Se espera el 29/1/2027

Cinta cortada

₡7 041,90

₡5 366,00

₡4 470,80

Envase tipo carrete

₡3 981,56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

185 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

SCT070HU120G3AG
STMicroelectronics
1: ₡7 567,57
1 199Se espera el 28/9/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT070HU120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT070HU120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

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1 199Se espera el 28/9/2026

Cinta cortada

₡7 567,57

₡5 324,36

₡4 403,14

Envase tipo carrete

₡4 111,68

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
1: ₡6 719,21
100En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SCT040W120G3-4

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040W120G3-4

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

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100En pedido

₡6 719,21

₡4 507,23

₡3 960,74

₡3 393,43

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

Automotive-Grade Silicon Carbide Power MOSFETs

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