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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
1 054En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
1 189En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
3 648En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
433En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
1 900En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
475En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
1 651En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
752En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
256En existencias
1 000Se espera el 5/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
259En existencias
5 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
9En existencias
2 000Se espera el 11/6/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement