MOSFETs de SiC – Mouser Costa Rica

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R008M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡18 773,19
1 073En existencias
1 000Se espera el 15/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R008M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R008M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Cinta cortada

₡18 773,19

₡14 094,20

Envase tipo carrete

₡14 094,20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 10

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

189 A

7.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

195 nC

- 55 C

+ 175 C

800 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡10 013,75
3 317En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R017M2HXTMA1

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726-IMBG120R017M2HXT

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Cinta cortada

₡10 013,75

₡7 135,58

₡6 360,09

₡6 282,02

Envase tipo carrete

₡5 943,71

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

107 A

17.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

470 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R012M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡13 552,92
710En existencias

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IMBG120R012M2HXTMA1

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Cinta cortada

₡13 552,92

₡9 826,39

₡9 352,76

₡9 144,58

Envase tipo carrete

₡8 655,34

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

144 A

12.2 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R022M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡8 421,13
386En existencias

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IMBG120R022M2HXTMA1

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Cinta cortada

₡8 421,13

₡5 938,51

₡5 090,15

Envase tipo carrete

₡4 814,30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

87 A

21.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡7 218,86
1 673En existencias

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IMBG120R026M2HXTMA1

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Cinta cortada

₡7 218,86

₡5 048,51

Envase tipo carrete

₡5 048,51

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

75 A

25.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

335 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡5 636,64
316En existencias

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IMBG120R040M2HXTMA1

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Infineon Technologies

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316En existencias

Cinta cortada

₡5 636,64

₡3 887,88

₡3 018,70

Envase tipo carrete

₡2 857,36

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

52 A

39.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡4 090,86
841En existencias

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IMBG120R078M2HXTMA1

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726-IMBG120R078M2HXT

Infineon Technologies

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841En existencias

Cinta cortada

₡4 090,86

₡2 774,08

₡2 024,61

₡1 977,77

Envase tipo carrete

₡1 868,47

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

29 A

78.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

20.6 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R116M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 523,55
649En existencias

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IMBG120R116M2HXTMA1

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726-IMBG120R116M2HXT

Infineon Technologies

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649En existencias

Cinta cortada

₡3 523,55

₡2 274,43

₡1 712,33

₡1 618,65

Envase tipo carrete

₡1 530,17

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

21.2 A

115.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

14.4 nC

- 55 C

+ 175 C

123 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R181M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 008,29
1 817En existencias

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IMBG120R181M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R181M2HXT

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1 817En existencias

Cinta cortada

₡3 008,29

₡2 009,00

₡1 436,48

₡1 311,57

Envase tipo carrete

₡1 238,71

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

14.9 A

181.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R234M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 716,83
6 769En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R234M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R234M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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6 769En existencias

Cinta cortada

₡2 716,83

₡1 806,01

₡1 285,55

₡1 145,02

Envase tipo carrete

₡1 139,82

₡1 077,36

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

8.1 A

233.9 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

80 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡4 694,60
1 968Se espera el 9/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R053M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R053M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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1 968Se espera el 9/7/2026

Cinta cortada

₡4 694,60

₡3 206,07

₡2 373,32

Envase tipo carrete

₡2 243,21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

41 A

52.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

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