MOSFETs de SiC – Mouser Costa Rica

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R012M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡12 783,60
887En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R012M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R012M2HXT

Infineon Technologies

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Cinta cortada

₡12 783,60

₡9 335,61

₡9 275,97

₡9 270,55

Envase tipo carrete

₡8 891,05

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

144 A

12.2 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡9 839,79
3 495En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R017M2HXTMA1

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Cinta cortada

₡9 839,79

₡7 009,84

₡6 624,92

Envase tipo carrete

₡6 104,47

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

107 A

17.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

470 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R234M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 667,32
8 113En existencias

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IMBG120R234M2HXTMA1

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₡2 667,32

₡1 772,79

₡1 263,18

₡1 192,70

Envase tipo carrete

₡1 111,38

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

8.1 A

233.9 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

80 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R008M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡18 448,94
164En existencias
2 000Se espera el 18/3/2027

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164En existencias

2 000Se espera el 18/3/2027

Cinta cortada

₡18 448,94

₡14 681,08

Envase tipo carrete

₡13 710,65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

189 A

7.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

195 nC

- 55 C

+ 175 C

800 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R022M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡8 039,90
423En existencias

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₡8 039,90

₡5 556,91

₡5 096,09

Envase tipo carrete

₡4 949,71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

87 A

21.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡6 765,87
1 700En existencias

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1 700En existencias

Cinta cortada

₡6 765,87

₡4 624,43

₡4 120,24

Envase tipo carrete

₡4 049,77

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

75 A

25.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

335 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡5 361,74
437En existencias

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437En existencias

Cinta cortada

₡5 361,74

₡3 697,38

₡3 019,71

₡3 014,28

Envase tipo carrete

₡2 932,96

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

52 A

39.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 897,97
1 211En existencias

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IMBG120R078M2HXTMA1

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726-IMBG120R078M2HXT

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1 211En existencias

Cinta cortada

₡3 897,97

₡2 634,79

₡1 978,80

Envase tipo carrete

₡1 919,17

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

29 A

78.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

20.6 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R116M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 458,84
725En existencias

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IMBG120R116M2HXTMA1

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726-IMBG120R116M2HXT

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Cinta cortada

₡3 458,84

₡2 271,56

₡1 864,95

₡1 837,85

Envase tipo carrete

₡1 572,20

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

21.2 A

115.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

14.4 nC

- 55 C

+ 175 C

123 W

Enhancement

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IMBG120R181M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 927,54
877En existencias
1 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R181M2HXTMA1

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726-IMBG120R181M2HXT

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1 000En pedido

Cinta cortada

₡2 927,54

₡1 864,95

₡1 393,29

₡1 366,19

Envase tipo carrete

₡1 274,02

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

14.9 A

181.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡4 011,82
1 968Se espera el 11/6/2026

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IMBG120R053M2HXTMA1

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726-IMBG120R053M2HXT

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1 968Se espera el 11/6/2026

Cinta cortada

₡4 011,82

₡3 149,82

₡2 472,15

Envase tipo carrete

₡2 304,08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

41 A

52.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

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