Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs are 100V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. These devices feature low on-resistance with proprietary technology using a Cu connector. The Toshiba U-MOSVIII-H Power MOSFETs have a narrowed gate threshold voltage range of 2.5V to 3.5V, which reduces switching time tolerance.

Resultados: 28
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
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2 825En existencias
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Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 40 V 8 A 17.8 mOhms 20 V 2.5 V 6.5 nC + 175 C 4.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
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2 900En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 30 V 3 A 95 mOhms 20 V 2.5 V 1.7 nC + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
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2 370En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms 20 V 2.5 V 3.2 nC + 175 C 4.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
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26 382En existencias
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Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 160 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 122 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
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56 550En existencias
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Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 20 A 23.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=180W F=1MHZ AEC-Q101
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6 007En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 6.11 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 60 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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4 866En existencias
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Si SMD/SMT TSON-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 20 A 7.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F
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37 535En existencias
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Si SMD/SMT TSOP6F N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.3 nC + 175 C 1.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=132W F=1MHZ AEC-Q101
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11 962En existencias
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Si SMD/SMT SOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 100 V 45 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 52 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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7 004En existencias
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Si SMD/SMT TSON-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F
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4 724En existencias
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Si SMD/SMT TSOP6F N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 51 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.2 nC + 175 C 1.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=65W F=1MHZ AEC-Q101
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3 201En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 11 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=46W F=1MHZ AEC-Q101
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2 860En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 15 A 17.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=205W F=1MHZ AEC-Q101
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1 985En existencias
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Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 6.11 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 60 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V U-MOS VIII-H SOP-Advance(N) 15.4mohm
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6 993En existencias
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 150 V 38 A 15.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 22 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F
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7 484En existencias
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Si SMD/SMT TSOP6F N-Channel 1 Channel 100 V 10 A 20.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8.5 nC + 175 C 1.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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7 050En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 76 nC + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=2.3mohm(max)
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2 739En existencias
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 190 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 72 nC + 150 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) 100V 4.5mohm
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5 789En existencias
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: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 92 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 58 nC + 150 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=0.9mohm(max)
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2 719En existencias
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: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 320 A 770 uOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 74 nC + 150 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=170W F=1MHZ AEC-Q101
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6 535En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 100 V 70 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 57W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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64En existencias
2 000Se espera el 11/5/2026
Min.: 1
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: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 25 A 36.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 57 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=40W F=1MHZ AEC-Q101
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2 191En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 33 A 9.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS Dual N-ch Low drain-source on-resistance VDSS:100V ID:3.5A PD:1.5W TSOP6F
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4 052En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT TSOP6F N-Channel 2 Channel 100 V 3.5 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.6 nC + 175 C 1.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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261En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 10.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 26 nC + 175 C 88.2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape