Resultados: 136
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK
Hoja de datos
2 656En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 5 A 900 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 48 Amp
Hoja de datos
81En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT ISOTOP-4 N-Channel 1 Channel 500 V 48 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 117 nC - 65 C + 150 C 450 W Enhancement MDmesh Tube


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 Ohm MDmesh II Power MO
Hoja de datos
992En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 21 A 158 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 50 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
Hoja de datos
1 958En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 A 95 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 71 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
Hoja de datos
2 950En existencias
1 000Se espera el 6/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 78 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 82 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
Hoja de datos
1 976En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 63 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
Hoja de datos
4 159En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 550 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 19 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp
Hoja de datos
1 110En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 12 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 39 nC - 65 C + 150 C 160 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh II Power
Hoja de datos
1 424En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 165 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 60 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
Hoja de datos
707En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 21 A 158 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 50 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092 Ohm MDmesh II 29A Switch
Hoja de datos
867En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 92 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 84 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp
Hoja de datos
436En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
Hoja de datos
1 856En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 63 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
Hoja de datos
556En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43.6 nC - 65 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh
Hoja de datos
652En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 295 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 65 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh II Power
Hoja de datos
759En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 60 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V 22 A
Hoja de datos
615En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 139 mOhms - 25 V, 25 V 5 V 64 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
Hoja de datos
1 833En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 71 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 45 Amp
Hoja de datos
739En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 45 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 113 nC - 65 C + 150 C 417 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 45 Amp
Hoja de datos
782En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 45 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 134 nC - 65 C + 150 C 417 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 60 Amp
Hoja de datos
458En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 50 mOhms - 30 V, 30 V - 65 C + 150 C 560 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh
Hoja de datos
488En existencias
1 000Se espera el 22/2/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 295 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 70 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
Hoja de datos
341En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 65 C + 150 C 192 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A
Hoja de datos
907En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 560 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 15 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS
Hoja de datos
818En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 480 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel