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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 64A TO220FP-3 OptiMOS 3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
IPA060N06NXKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
199 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 84A TO220FP-3 OptiMOS 3
IPA032N06N3 G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 84A TO220FP-3 OptiMOS 3
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Amplificador de RF RF BIP TRANSISTORS
BGB 741L7ESD E6327
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Amplificador de RF RF BIP TRANSISTORS
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7 500
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₡267,27
7 500
₡267,27
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 98A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC077N12NS3 G
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726-BSC077N12NS3GXT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 98A TDSON-8 OptiMOS 3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 36A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC320N20NS3 G
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1:
₡1 751,10
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N.º de artículo de Mouser
726-BSC320N20NS3G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 36A TDSON-8 OptiMOS 3
5 782 En existencias
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₡585,51
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₡585,51
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5 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC600N25NS3 G
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1:
₡2 325,77
3 780 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC600N25NS3GXT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3
3 780 En existencias
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1
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₡856,58
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₡856,58
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPP040N06NF2SAKMA1
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1:
₡1 073,43
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N.º de artículo de Mouser
726-IPP040N06NF2SAKM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
2 195 En existencias
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2 000
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5 000
₡293,30
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Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
IPP048N12N3 G
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1:
₡2 266,13
689 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP048N12N3GXK
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
689 En existencias
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₡1 187,28
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₡1 111,38
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
IPP076N12N3 G
Infineon Technologies
1:
₡1 669,78
255 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP076N12N3GXK
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
255 En existencias
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