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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 60 V 23 A 22.3 mOhms, 22.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 34 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L-4 N-Channel 2 Channel 60 V 23 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 25 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
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Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 3.57 A, 2.5 A 49 mOhms, 140 mOhms - 12 V, 12 V 600 mV, 1.5 V 2.5 nC, 3.5 nC - 55 C + 175 C 1.67 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified
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67 281En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 80 V 30 A 15.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 32 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8A 3.9W AEC-Q101 Qualified
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 40 V 8 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 3.9 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified
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4 579En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 11 mOhms - 12 V, 12 V 2.5 V 60 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 100 V 30 A 21 mOhms, 21 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L-4 N-Channel 1 Channel 40 V 350 A 1.24 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 86 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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6 497En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 8 A 12.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 47 nC - 55 C + 175 C 3.9 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel, P-Channel 2 Channel 60 V 30 A, 18 A 12 mOhms, 52.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V, 2.5 V 30 nC, 45 nC - 55 C + 175 C 34 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 60 V 30 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified 1 779En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 2 Channel 40 V 160 A 3.6 mOhms, 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 45 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
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2 430En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 2 Channel 60 V 63 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 19 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 60 V 23.5 A 28 mOhms, 28 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 18.5 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 6.3 mOhms, 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 175 C 34 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
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Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 780 mA 200 mOhms - 12 V, 12 V 600 mV 1.2 nC - 55 C + 175 C 430 mW Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
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2 046En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 30 V 30 A 5.8 mOhms, 5.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 39 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V Vds 20V Vgs AEC-Q101 Qualified
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478En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 30 V 30 A 9.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V PowerPAK AEC-Q101 Qualified
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180En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 60 V 40 A 29.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 15 nC - 55 C + 175 C 35 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified
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2 459En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 75 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
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3 000Se espera el 16/2/2026
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Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 2 Channel 40 V 123 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 37 nC - 55 C + 175 C 93 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified
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6 000Se espera el 19/2/2026
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 60 V 30 A 10.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L-4 N-Channel 1 Channel 40 V 350 A 1.24 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 86 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel