MDmesh K5 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best RDS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.

Resultados: 140
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package 1 171En existencias
Cinta cortada
₡3 575,60
₡1 806,01
₡1 665,49
₡1 566,60
Envase tipo carrete
₡1 478,12
Min.: 1
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: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 900 V 15 A 330 mOhms 20 V 3 V 29.7 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package 1 439En existencias
₡2 113,09
₡1 072,16
₡973,27
₡796,31
₡749,47
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 4 A 1.4 Ohms 30 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na 1 691En existencias
₡2 493,03
₡1 321,98
₡1 202,28
₡988,88
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 370 mOhms 30 V 3 V 29 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 800 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a 1 244En existencias
Cinta cortada
₡2 617,94
₡1 353,21
₡1 233,50
₡1 077,36
Envase tipo carrete
₡947,25
Min.: 1
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: 1 000
Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 680 mOhms 30 V 5 V 17.3 nC - 55 C + 150 C 121 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte 5 125En existencias
Cinta cortada
₡1 035,73
₡496,00
₡443,44
₡351,31
Envase tipo carrete
₡318,00
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: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 2.8 Ohms 30 V 4 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected 3 778En existencias
Cinta cortada
₡1 342,80
₡660,99
₡593,33
₡472,58
₡458,01
Envase tipo carrete
₡405,96
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 3.5 A 2 Ohms 30 V 4 V 12.5 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected 5 124En existencias
Cinta cortada
₡733,86
₡436,67
₡348,71
₡294,06
Envase tipo carrete
₡245,14
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 3.7 Ohms 30 V 4 V 3 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected 1 525En existencias
₡2 248,41
₡1 176,25
₡1 066,95
₡874,38
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 8 A 800 mOhms 30 V 4 V 22 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package 4 929En existencias
₡1 415,67
₡655,79
₡593,33
₡498,61
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 1.5 A 8 Ohms 30 V 3 V 10 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .275Ohm 17.5A Zener-protect 585En existencias
₡4 262,61
₡2 336,89
₡2 149,52
₡1 941,34
₡1 904,90
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 330 mOhms 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package 3 505En existencias
Cinta cortada
₡1 342,80
₡655,79
₡593,33
₡471,54
₡449,68
Envase tipo carrete
₡403,36
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 900 V 3 A 1.9 Ohms 30 V 3 V 5.3 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect 1 202En existencias
₡2 623,15
₡1 358,41
₡1 233,50
₡1 004,50
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 370 mOhms 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package 3 076En existencias
₡1 150,23
₡733,86
₡491,84
₡398,68
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 2.75 Ohms 30 V 3 V 2.63 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5 5 018En existencias
Cinta cortada
₡2 045,43
₡1 035,73
₡936,84
₡770,29
Envase tipo carrete
₡723,45
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.1 mOhms 20 V 4 V 72 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package 2 500En existencias
Cinta cortada
₡1 467,71
₡728,65
₡645,38
₡525,67
Envase tipo carrete
₡437,19
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Min.: 1
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: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 4.5 A 1.6 Ohms 30 V 4 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.95 Ohm typ., 5 A, MDmesh K5 Power MOSFET in 5 586En existencias
Cinta cortada
₡2 019,41
₡1 020,11
₡926,43
₡759,88
Envase tipo carrete
₡702,63
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-VHV-8 N-Channel 1 Channel 650 V 5 A 1.15 Ohms 30 V 5 V 11.7 nC - 55 C + 150 C 79 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected 5 158En existencias
Cinta cortada
₡1 238,71
₡791,11
₡650,58
₡562,10
₡541,28
Envase tipo carrete
₡510,06
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 800 V 3.6 A 1.2 Ohms 30 V 4 V 13.4 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm typ MDmesh K5 14A 634En existencias
Cinta cortada
₡3 206,07
₡1 686,31
₡1 540,58
₡1 410,46
Envase tipo carrete
₡1 332,39
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 14 A 300 mOhms 30 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package 1 395En existencias
₡4 252,20
₡2 269,23
₡2 014,20
₡1 899,70
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 20 A 210 mOhms 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5 1 381En existencias
₡4 101,27
₡2 211,98
₡2 029,82
₡1 733,15
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 18.5 A 299 mOhms 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5 560En existencias
₡4 720,62
₡3 325,77
₡2 690,81
₡2 388,94
₡2 139,11
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 18.5 A 299 mOhms 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 38 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 long le 538En existencias
₡6 531,84
₡4 632,14
₡4 538,46
₡4 517,64
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 40 A 88 mOhms 30 V 3 V 89 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package 2 652En existencias
Cinta cortada
₡1 498,94
₡739,06
₡666,20
₡536,08
₡502,77
Envase tipo carrete
₡475,71
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 1.15 Ohms 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package 601En existencias
₡6 485,00
₡3 882,67
₡3 591,21
₡3 393,43
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 620 mOhms 30 V 5 V 44.2 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5 2 614En existencias
₡3 617,23
₡1 936,13
₡1 769,58
₡1 722,74
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 330 mOhms 30 V 3 V 48 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube