Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MDmesh K5 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best R_DS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

STP8N120K5
STMicroelectronics
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STP8N120K5

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511-STP8N120K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

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TO-220-3

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1 Channel

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6 A

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3 V

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+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1Ohm 9A pwr MDmesh K5

STU6N95K5
STMicroelectronics
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STU6N95K5

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STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1Ohm 9A pwr MDmesh K5

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1 Channel

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90 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package

STW12N120K5
STMicroelectronics
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742En existencias

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STW12N120K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package

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Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V, 1.6 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW12N150K5
STMicroelectronics
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STW12N150K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V, 1.6 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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1.2 kV

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Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 950V, 0.275Ohms, 17.5A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247

STW20N95K5
STMicroelectronics
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STW20N95K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 950V, 0.275Ohms, 17.5A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247

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Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V, 0.7 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 packge

STW21N150K5
STMicroelectronics
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STW21N150K5

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TO-247-3

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1 Channel

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14 A

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3 V

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446 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.110 Ohm typ., 38 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW40N95K5
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TO-247-3

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950 V

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Enhancement

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Tube

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STW6N90K5
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MDmesh

Tube

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STW6N95K5
STMicroelectronics
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STW6N95K5

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MDmesh

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STW7N90K5
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STW7N90K5

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Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW8N120K5
STMicroelectronics
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STW8N120K5

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Enhancement

MDmesh

Tube

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STB16N90K5
STMicroelectronics
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1 000Se espera el 27/7/2026

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Envase tipo carrete

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Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB6N80K5
STMicroelectronics
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STB6N80K5

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Cinta cortada

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Envase tipo carrete

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Carrete: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

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800 V

4.5 A

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- 30 V, 30 V

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- 55 C

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110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD3LN80K5
STMicroelectronics
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STD3LN80K5

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511-STD3LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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Cinta cortada

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Envase tipo carrete

₡292

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SMD/SMT

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800 V

2 A

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Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte

STD3N80K5
STMicroelectronics
1: ₡1 079
315En existencias
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STD3N80K5

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511-STD3N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte

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315En existencias

2 500Se espera el 24/8/2026

Cinta cortada

₡1 079

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₡365

Envase tipo carrete

₡300

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SMD/SMT

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1 Channel

800 V

2.5 A

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Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD4LN80K5
STMicroelectronics
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1 140En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD4LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD4LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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1 140En existencias

Cinta cortada

₡1 253

₡800

₡555

₡470

Envase tipo carrete

₡363

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

3 A

2.1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

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- 55 C

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60 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 720 mOhm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD7N90K5
STMicroelectronics
1: ₡1 902
518En existencias

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STD7N90K5

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511-STD7N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 720 mOhm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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₡905

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₡650

Envase tipo carrete

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

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7 A

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Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag

STF10N80K5
STMicroelectronics
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574En existencias

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STF10N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF10N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag

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574En existencias

₡2 152

₡1 166

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Through Hole

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1 Channel

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9 A

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- 30 V, 30 V

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Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected

STF2N80K5
STMicroelectronics
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207En existencias

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STF2N80K5

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511-STF2N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected

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207En existencias

₡1 148

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₡487

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2 A

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+ 150 C

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Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected

STF2N95K5
STMicroelectronics
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STF2N95K5

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511-STF2N95K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected

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2 A

4.2 Ohms

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Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected

STF5N95K5
STMicroelectronics
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880En existencias

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STF5N95K5

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511-STF5N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected

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880En existencias

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1 Channel

950 V

3.5 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

12.5 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF7LN80K5
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

5 A

1.15 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

13.4 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF7N90K5
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

7 A

720 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

17.7 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6AMDmesh K5

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N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

950 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

16.5 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

MDmesh K5 Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
2 A
2.2 A
2.5 A
3 A
3.5 A
3.6 A
4 A
4.5 A
5 A
6 A
7 A
8 A
9 A
12 A
14 A
15 A
17.5 A
18.5 A
19.5 A

1.1 mOhms
1.6 mOhms
88 mOhms
100 mOhms
110 mOhms
210 mOhms
260 mOhms
299 mOhms
300 mOhms
330 mOhms
370 mOhms
375 mOhms
410 mOhms
450 mOhms
470 mOhms
600 mOhms
620 mOhms
630 mOhms
680 mOhms
690 mOhms

2.63 nC
3 nC
3.7 nC
4 nC
5 nC
5.3 nC
7.5 nC
9.5 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
11.7 nC
12 nC
12.5 nC
13 nC
13.4 nC
13.7 nC
15 nC
16.5 nC
17 nC

20 W
25 W
30 W
35 W
38 W
40 W
42 W
45 W
60 W
70 W
79 W
85 W
90 W
110 W
121 W
130 W
150 W
188 W
190 W
250 W