Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ142EP-T1_JE3
Vishay / Siliconix
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SQJ142EP-T1_JE3

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78-SQJ142EP-T1_JE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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₡287,33

₡259,68

Envase tipo carrete

₡208,18

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

167 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

191 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJQ410EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

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Envase tipo carrete

₡856,58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

135 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

100 V

70 A

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- 20 V, 20 V

2 V

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+ 175 C

187 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ144AER-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Cinta cortada

₡2 201,08

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₡1 013,80

₡905,37

₡856,58

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

40 V

575 A

9 mOhms

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3.5 V

116 nC

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+ 175 C

600 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified

SQJQ100E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Cinta cortada

₡2 276,98

₡1 485,46

₡1 078,85

₡905,37

Envase tipo carrete

₡764,41

₡737,31

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2 000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

160 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

220 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ148ER-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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₡1 295,71

₡905,37

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Envase tipo carrete

₡693,94

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

PowerPAK-8-8LR-8

N-Channel

1 Channel

40 V

373 A

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68 nC

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQJQ906E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Envase tipo carrete

₡672,25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

95 A

3.3 mOhms

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3 V

34 nC

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+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJQ480E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors

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Cinta cortada

₡2 331,19

₡1 534,25

₡1 078,85

₡905,37

Envase tipo carrete

₡856,58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

80 V

150 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

144 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ148E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJQ148E-T1_GE3

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Envase tipo carrete

₡558,40

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

375 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

325 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ112ER-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors

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Cinta cortada

₡2 786,59

₡1 848,69

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₡1 154,75

Envase tipo carrete

₡948,74

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

296 A

2.53 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

181 nC

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+ 175 C

600 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C AEC-Q101

SQJQ150E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 702,31
3 208En existencias

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SQJQ150E-T1_GE3

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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C AEC-Q101

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Cinta cortada

₡1 702,31

₡1 105,96

₡769,84

₡623,46

Envase tipo carrete

₡569,24

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

PowerPak-8

N-Channel

1 Channel

40 V

233 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ142E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 854,11
6 286En existencias

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SQJQ142E-T1_GE3

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78-SQJQ142E-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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6 286En existencias

Cinta cortada

₡1 854,11

₡1 203,55

₡851,16

₡693,94

₡677,67

Envase tipo carrete

₡639,72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

460 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

92 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJQ904E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡2 276,98
2 958En existencias

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SQJQ904E-T1_GE3

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78-SQJQ904E-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

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2 958En existencias

Cinta cortada

₡2 276,98

₡1 485,46

₡1 078,85

₡921,63

Envase tipo carrete

₡845,73

₡737,31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

100 A

2.9 mOhms, 2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQJQ960EL-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 832,42
2 356En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ960EL-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ960EL-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

2 356En existencias

Cinta cortada

₡1 832,42

₡1 192,70

₡829,47

₡672,25

₡655,99

Envase tipo carrete

₡612,62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

63 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ130EL-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡2 678,16
9 108En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ130EL-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ130EL-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

9 108En existencias

Cinta cortada

₡2 678,16

₡1 772,79

₡1 257,76

₡1 095,12

Envase tipo carrete

₡905,37

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

PowerPAK-8-8L-4

N-Channel

1 Channel

30 V

445 A

520 uOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

310 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJQ900E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 962,54
1 024En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ900E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ900E-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

1 024En existencias

Cinta cortada

₡1 962,54

₡1 236,07

₡894,53

₡726,46

₡721,04

Envase tipo carrete

₡683,09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

100 A

3.4 mOhms, 3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

135 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 8 x 8L

SQJQ404E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡2 173,97
1 960En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ404E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ404E-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 8 x 8L

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Hoja de datos

1 960En existencias

Cinta cortada

₡2 173,97

₡1 425,82

₡1 013,80

₡840,31

Envase tipo carrete

₡715,62

₡683,09

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.72 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

175 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ140E-T1_JE3
Vishay / Siliconix
1: ₡2 548,05
1 608En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ140E-T1_JE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ140E-T1_JE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

1 608En existencias

₡2 548,05

₡1 675,20

₡1 187,28

₡1 019,22

₡954,16

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

701 A

530 uOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

192 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ144AE-T1_JE3
Vishay / Siliconix
1: ₡2 076,39
2 607En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ144AE-T1_JE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ144AE-T1_JE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

2 607En existencias

Cinta cortada

₡2 076,39

₡1 355,34

₡965,00

₡791,52

Envase tipo carrete

₡737,31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

PowerPAK 8x8L

N-Channel

1 Channel

40 V

575 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

116 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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PowerPAK-8

N-Channel

1 Channel

100 V

136 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

102 nC

- 55 C

+ 175 C

277 W

Enhancement

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181 nC

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+ 175 C

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PowerPAK-8x8-4

N-Channel

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375 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

325 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

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2.5 V

487 nC

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63 A
70 A
95 A
100 A
135 A
136 A
150 A
160 A
167 A
200 A
233 A
245 A
280 A
296 A
329 A
345 A
373 A
375 A
413 A

520 uOhms
530 uOhms
650 uOhms
900 uOhms
1 mOhms
1.24 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.72 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.53 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms, 2.9 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms, 3.4 mOhms
3.6 mOhms

19 nC
26 nC
32 nC
34 nC
45 nC
46 nC
61 nC
68 nC
69 nC
75 nC
92 nC
98 nC
102 nC
116 nC
120 nC
123 nC
135 nC
144 nC
150 nC
175 nC