Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
IAUMN04S7N005GAUMA1
Infineon Technologies
1:
₡2 685
2 698 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN04S7N005GAU
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
2 698 En existencias
1
₡2 685
10
₡1 775
100
₡1 386
500
₡1 235
1 000
₡1 056
2 000
₡992
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
IAUMN04S7N006GAUMA1
Infineon Technologies
1:
₡2 297
170 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN04S7N006GAU
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
170 En existencias
1
₡2 297
10
₡1 502
100
₡1 108
500
₡980
1 000
₡841
2 000
₡789
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
IAUMN04S7N011GAUMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 873
130 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN04S7N011GAU
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
130 En existencias
1
₡1 873
10
₡1 218
100
₡893
500
₡748
1 000
Ver
2 000
₡586
1 000
₡696
2 000
₡586
24 000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
IAUMN04S7N009GAUMA1
Infineon Technologies
1:
₡2 065
190 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN04S7N009GAU
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
190 En existencias
1
₡2 065
10
₡1 346
100
₡1 056
500
₡887
1 000
₡818
2 000
₡690
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
IAUZN08S7N046ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 380
3 438 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN08S7N046ATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
3 438 En existencias
1
₡1 380
10
₡882
100
₡609
500
₡519
1 000
Ver
5 000
₡361
1 000
₡433
2 500
₡400
5 000
₡361
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
99 A
4.6 mOhms
20 V
3.2 V
27.2 nC
- 55 C
+ 175 C
94 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
IAUCN08S7L018ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 902
3 840 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7L018ATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
3 840 En existencias
1
₡1 902
10
₡1 241
100
₡945
500
₡795
1 000
Ver
5 000
₡603
1 000
₡679
2 500
₡644
5 000
₡603
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
210 A
1.8 mOhms
20 V
2 V
79.9 nC
- 55 C
+ 175 C
169 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
IAUCN08S7L024ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 699
3 961 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7L024ATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
3 961 En existencias
1
₡1 699
10
₡1 096
100
₡783
500
₡655
1 000
Ver
5 000
₡498
1 000
₡563
2 500
₡535
5 000
₡498
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
177 A
2.4 mOhms
16 V
2 V
65.2 nC
- 55 C
+ 175 C
148 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
IAUCN10S7L040ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 752
3 804 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN10S7L040ATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
3 804 En existencias
1
₡1 752
10
₡1 131
100
₡829
500
₡696
1 000
Ver
5 000
₡530
1 000
₡597
2 500
₡570
5 000
₡530
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
130 A
3.3 mOhms
16 V
2 V
44.3 nC
- 55 C
+ 175 C
118 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
IAUZN10S7N078ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 299
3 492 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN10S7N078ATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
3 492 En existencias
1
₡1 299
10
₡829
100
₡575
500
₡487
1 000
Ver
5 000
₡339
1 000
₡407
2 500
₡376
5 000
₡339
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
76 A
7.8 mOhms
20 V
3.2 V
22.2 nC
- 55 C
+ 175 C
94 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
IAUCN08S7L013ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡2 535
3 711 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7L013ATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
3 711 En existencias
1
₡2 535
10
₡1 665
100
₡1 247
500
₡1 108
1 000
Ver
5 000
₡858
1 000
₡945
2 500
₡893
5 000
₡858
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
293 A
1.26 mOhms
20 V
2 V
120 nC
- 55 C
+ 175 C
219 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
IAUCN08S7L033ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 421
3 693 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7L033ATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
3 693 En existencias
1
₡1 421
10
₡905
100
₡615
500
₡516
1 000
Ver
5 000
₡391
1 000
₡454
2 500
₡421
5 000
₡391
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
130 A
3.3 mOhms
16 V
2 V
44.3 nC
- 55 C
+ 175 C
118 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
IAUCN08S7N016TATMA1
Infineon Technologies
1:
₡2 685
5 947 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N016TAT
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
5 947 En existencias
1
₡2 685
10
₡1 781
100
₡1 264
500
₡1 177
1 000
Ver
2 000
₡1 003
1 000
₡1 114
2 000
₡1 003
10 000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PG-LHDSO-10-3
N-Channel
1 Channel
80 V
262 A
1.63 mOhms
20 V
3.2 V
83 nC
- 55 C
+ 175 C
205 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
IAUCN08S7N019TATMA1
Infineon Technologies
1:
₡2 308
5 955 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N019TAT
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
5 955 En existencias
1
₡2 308
10
₡1 520
100
₡1 067
500
₡957
1 000
Ver
2 000
₡818
1 000
₡905
2 000
₡818
10 000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PG-LHDSO-10-2
N-Channel
1 Channel
80 V
223 A
1.94 mOhms
20 V
3.2 V
68 nC
- 55 C
+ 175 C
180 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T
IAUCN08S7N024TATMA1
Infineon Technologies
1:
₡2 018
5 927 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N024TAT
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T
5 927 En existencias
1
₡2 018
10
₡1 317
100
₡1 027
500
₡858
1 000
₡737
2 000
₡702
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PG-LHDSO-10-1
N-Channel
1 Channel
80 V
186 A
2.44 mOhms
20 V
3.2 V
54 nC
- 55 C
+ 175 C
157 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
IAUCN08S7N045TATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 566
5 824 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N045TAT
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
5 824 En existencias
1
₡1 566
10
₡1 009
100
₡708
500
₡577
2 000
₡488
4 000
Ver
1 000
₡538
4 000
₡485
10 000
₡470
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PG-LHDSO-10-1
N-Channel
1 Channel
80 V
103 A
4.54 mOhms
20 V
3.2 V
27 nC
- 55 C
+ 175 C
98 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
IAUZN04S7L019ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡934
792 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7L019ATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
792 En existencias
1
₡934
10
₡586
100
₡392
500
₡309
5 000
₡227
10 000
Ver
1 000
₡279
2 500
₡256
10 000
₡215
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
154 A
1.9 mOhms
16 V
1.8 V
34 nC
- 55 C
+ 175 C
83 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
IAUZN04S7L030ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡754
780 En existencias
5 000 Se espera el 16/2/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7L030ATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
780 En existencias
5 000 Se espera el 16/2/2026
1
₡754
10
₡473
100
₡311
500
₡247
5 000
₡178
10 000
Ver
1 000
₡219
2 500
₡201
10 000
₡166
25 000
₡163
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
3.05 mOhms
16 V
1.8 V
18 nC
- 55 C
+ 175 C
58 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
IAUZN04S7N032ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡754
784 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7N032ATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
784 En existencias
1
₡754
10
₡473
100
₡311
500
₡247
5 000
₡178
10 000
Ver
1 000
₡219
2 500
₡201
10 000
₡166
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
97 A
3.25 mOhms
20 V
3 V
16 nC
- 55 C
+ 175 C
58 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
IAUZN08S7L177ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡742
2 920 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN08S7L177ATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
2 920 En existencias
1
₡742
10
₡469
100
₡309
500
₡245
5 000
₡177
10 000
Ver
1 000
₡218
2 500
₡199
10 000
₡165
25 000
₡161
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
35 A
17.7 mOhms
16 V
2 V
11.8 nC
- 55 C
+ 175 C
45 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
IAUZN10S7L289ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡737
3 955 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN10S7L289ATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
3 955 En existencias
1
₡737
10
₡467
100
₡309
500
₡254
5 000
₡182
10 000
Ver
1 000
₡219
2 500
₡201
10 000
₡174
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
27 A
28.9 mOhms
16 V
2 V
10.9 nC
- 55 C
+ 175 C
45 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.34 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
IAUCN04S7L023HATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 317
700 En existencias
5 000 Se espera el 12/3/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L023HAT
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.34 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
700 En existencias
5 000 Se espera el 12/3/2026
1
₡1 317
10
₡887
100
₡702
500
₡684
1 000
Ver
5 000
₡384
1 000
₡667
2 500
₡592
5 000
₡384
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
2 Channel
40 V
132 A
2.34 mOhms
16 V
1.8 V
29 nC
- 55 C
+ 175 C
75 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.56 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
IAUCN04S7L025AHATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 334
700 En existencias
5 000 Se espera el 19/3/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L025AHA
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.56 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
700 En existencias
5 000 Se espera el 19/3/2026
1
₡1 334
10
₡853
100
₡592
500
₡502
1 000
Ver
5 000
₡367
1 000
₡420
2 500
₡387
5 000
₡367
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
2 Channel
40 V
127 A
2.56 mOhms
16 V
1.8 V
29 nC
- 55 C
+ 175 C
75 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 3.78 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
IAUCN04S7L037HATMA1
Infineon Technologies
1:
₡702
693 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L037HAT
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 3.78 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
693 En existencias
1
₡702
10
₡494
100
₡443
500
₡425
5 000
₡295
10 000
Ver
1 000
₡411
2 500
₡324
10 000
₡292
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
2 Channel
40 V
84 A
3.78 mOhms
16 V
1.8 V
15 nC
- 55 C
+ 175 C
50 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.46 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
IAUCN04S7N024HATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 363
264 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N024HAT
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.46 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
264 En existencias
1
₡1 363
10
₡893
100
₡754
500
₡679
5 000
₡409
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
2 Channel
40 V
129 A
2.46 mOhms
20 V
3 V
25 nC
- 55 C
+ 175 C
75 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
IAUCN04S7N040HATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 119
788 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N040HAT
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
788 En existencias
1
₡1 119
10
₡713
100
₡496
500
₡420
5 000
₡295
10 000
Ver
1 000
₡351
2 500
₡324
10 000
₡292
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
2 Channel
40 V
82 A
4.01 mOhms
20 V
3 V
13 nC
- 55 C
+ 175 C
52 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape