Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
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₡1 127,65
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₡672,25
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₡1 024,64
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2 000
₡494,97
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10
₡1 664,36
100
₡1 301,13
500
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1 000
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10
₡580,09
100
₡384,92
500
₡302,51
1 000
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₡233,12
1 000
₡253,72
2 500
₡251,55
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₡1 068,01
100
₡731,89
500
₡607,19
1 000
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IAUCN04S7N020ATMA1
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₡580,09
100
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500
₡302,51
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1 000
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2 500
₡251,55
5 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
IAUCN08S7N016TATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
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1
₡2 802,85
10
₡1 843,27
100
₡1 344,50
500
₡1 143,91
1 000
₡1 100,54
2 000
₡1 024,64
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1
₡1 463,77
10
₡943,32
100
₡645,14
500
₡530,75
1 000
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5 000
₡407,69
1 000
₡478,71
2 500
₡460,82
5 000
₡407,69
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
IAUMN04S7N006GAUMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
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₡1 789,05
10
₡1 225,23
100
₡1 040,90
500
₡834,89
1 000
₡818,63
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, N-Ch, 0.39mohm max, Automotive MOSFET, sTOLL(7x8), OptiMOS 7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, N-Ch, 0.39mohm max, Automotive MOSFET, sTOLL(7x8), OptiMOS 7
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1
₡2 683,58
10
₡1 778,21
100
₡1 263,18
500
₡1 095,12
2 000
₡1 024,64
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4 237 En existencias
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₡2 325,77
10
₡1 534,25
100
₡1 078,85
500
₡905,37
2 000
₡845,73
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IAUAN04S7N006AUMA1
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₡2 087,23
2 471 En existencias
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2 471 En existencias
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₡2 087,23
10
₡1 360,76
100
₡981,27
500
₡872,84
1 000
₡824,05
2 000
₡758,99
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUAN04S7N007AUMA1
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1 590 En existencias
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₡1 848,69
10
₡1 198,12
100
₡851,16
500
₡726,46
1 000
₡688,51
2 000
₡628,88
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IAUCN04S7L006ATMA1
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₡1 642,68
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₡1 642,68
10
₡1 068,01
100
₡731,89
500
₡596,35
1 000
Ver
5 000
₡525,87
1 000
₡563,82
2 500
₡547,56
5 000
₡525,87
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Mult.: 1
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IAUCN04S7L011ATMA1
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1
₡1 116,80
10
₡715,62
100
₡480,33
500
₡410,94
1 000
Ver
5 000
₡309,02
1 000
₡365,40
2 500
₡337,75
5 000
₡309,02
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Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUCN04S7L014ATMA1
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3 297 En existencias
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1
₡997,53
10
₡634,30
100
₡423,41
500
₡333,96
1 000
₡282,45
5 000
₡263,48
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Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUCN04S7N009ATMA1
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1
₡1 295,71
10
₡840,31
100
₡574,67
500
₡459,19
1 000
Ver
5 000
₡364,86
1 000
₡406,60
2 500
₡398,47
5 000
₡364,86
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Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUCN04S7N012ATMA1
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1
₡1 116,80
10
₡715,62
100
₡480,33
500
₡381,12
1 000
₡331,25
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