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NTBG023N065M3S

Name: onsemi NTBG023N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBG023N065M3S
Price: 6196.63 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTBG023N065M3S

Fabricante N.º:

NTBG023N065M3S

Fabricante:

onsemi

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡6 196,63	₡6 196,63
	₡4 299,15	₡42 991,50
	₡3 637,74	₡363 774,00
	₡3 399,20	₡1 699 600,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	₡3 399,20	₡2 719 360,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	40 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	33 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	69 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	263 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	KR
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	9.6 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	15 ns
Serie:	NTBG023N065M3S
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	35 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns