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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NX3020NAKW-Q/SOT323/SC-70
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5 433En existencias
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Si SMD/SMT SC-70-3 N-Channel 1 Channel 30 V 220 mA 3 Ohms 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 40V 190A
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21 350En existencias
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Si SMD/SMT LFPAK-56E-4 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 740 uOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 126 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Trench 9 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 80V 37A
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64 811En existencias
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Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 80 V 37 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 23.9 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 100A
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9 581En existencias
4 500Se espera el 9/11/2026
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Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 45.4 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) The factory is currently not accepting orders for this product.
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2 289En existencias
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Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 60 V 40 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 30.1 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
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6 095En existencias
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Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 100 V 13 A 61 mOhms, 61 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 13.6 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A
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2 980En existencias
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Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.07 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 90.5 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Trench 9 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 80V 89A
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19 854En existencias
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Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 80 V 89 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51.6 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) The factory is currently not accepting orders for this product.
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11 781En existencias
9 000Se espera el 28/9/2026
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Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 17.1 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 14.5 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y72-80E/SOT669/LFPAK
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9 235En existencias
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 15 A 65 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK763R8-80E/SOT404/D2PAK
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805En existencias
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 169 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 80V 43A
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16 714En existencias
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: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 80 V 43 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 29.6 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9635-55A/SOT404/D2PAK
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8 857En existencias
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 34 A 32 mOhms - 10 V, 10 V 2 V - 55 C + 175 C 85 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK764R4-60E/SOT404/D2PAK
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4 632En existencias
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9637-100E/SOT404/D2PAK
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4 739En existencias
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 31 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 22.8 nC - 55 C + 175 C 96 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS84AK/SOT23/TO-236AB
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275 646En existencias
3 156 000En pedido
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 50 V 180 mA 7.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 260 pC - 55 C + 150 C 420 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y30-75B/SOT669/LFPAK
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3 717En existencias
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: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 75 V 34 A 28 mOhms - 15 V, 15 V 1.1 V 19 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 80V 100A
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1 193En existencias
3 000En pedido
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: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 63.3 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y14-80E/SOT669/LFPAK
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876En existencias
12 000Se espera el 16/11/2026
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: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 62 A 12.2 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 28.9 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) The factory is currently not accepting orders for this product.
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3En existencias
1 500Se espera el 23/11/2026
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Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 60 V 40 A 9 mOhms, 9 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 22.4 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NX3020NAK-Q/SOT23/TO-236AB
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414En existencias
6 000Se espera el 2/4/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 250 mA 3 Ohms 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 390 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 26A
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488En existencias
1 500Se espera el 28/9/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 26 A 22.7 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 17A
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1 252En existencias
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: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 60 V 17 A 38.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 7.8 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y15-100E/SOT669/LFPAK
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1 433En existencias
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Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 69 A 12.1 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 45.8 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 48A
Hoja de datos
4 487En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 48 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 15.8 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel