Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 36

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD11N60DM2
STMicroelectronics
1: ₡1 328,24
4 358En existencias

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STD11N60DM2

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511-STD11N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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₡1 328,24

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₡461,90

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Envase tipo carrete

₡371,91

MouseReel Disponible

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: 2 500

SMD/SMT

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1 Channel

600 V

10 A

370 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

16.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD12N50DM2
STMicroelectronics
1: ₡1 355,34
2 206En existencias

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STD12N50DM2

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511-STD12N50DM2

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Cinta cortada

₡1 355,34

₡867,42

₡596,35

₡474,91

₡436,42

Envase tipo carrete

₡403,89

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

500 V

11 A

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- 25 V, 25 V

4 V

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110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD13N60DM2
STMicroelectronics
1: ₡1 295,71
3 149En existencias

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STD13N60DM2

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511-STD13N60DM2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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Cinta cortada

₡1 295,71

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₡547,56

₡438,05

₡410,94

Envase tipo carrete

₡397,39

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

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Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

STP33N60DM2
STMicroelectronics
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STP33N60DM2

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511-STP33N60DM2

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₡2 824,54

₡1 425,82

₡1 328,24

₡1 105,96

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

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24 A

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- 25 V, 25 V

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43 nC

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190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL13N60DM2
STMicroelectronics
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3 195En existencias

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STL13N60DM2

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511-STL13N60DM2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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₡672,25

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Envase tipo carrete

₡447,81

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

350 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ., 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL24N60DM2
STMicroelectronics
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STL24N60DM2

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511-STL24N60DM2

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₡2 222,76

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Envase tipo carrete

₡862,00

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

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1 Channel

600 V

15 A

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3 V

29 nC

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+ 150 C

125 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

STB33N60DM2
STMicroelectronics
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857En existencias

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STB33N60DM2

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511-STB33N60DM2

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₡3 052,23

₡2 033,02

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Envase tipo carrete

₡1 122,22

₡1 062,59

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

650 V

24 A

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- 25 V, 25 V

3 V

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+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package

STB35N60DM2
STMicroelectronics
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STB35N60DM2

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511-STB35N60DM2

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₡3 583,53

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

600 V

28 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

STF24N60DM2
STMicroelectronics
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STF24N60DM2

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511-STF24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

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₡905,37

₡742,73

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

175 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD8N60DM2
STMicroelectronics
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1 750En existencias

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STD8N60DM2

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511-STD8N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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₡992,11

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₡420,16

₡335,58

₡301,97

Envase tipo carrete

₡298,18

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

570 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

4 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2

STP24N60DM2
STMicroelectronics
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848En existencias

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STP24N60DM2

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511-STP24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2

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848En existencias

₡2 309,51

₡1 127,65

₡1 051,75

₡878,26

₡834,89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

200 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD10N60DM2
STMicroelectronics
1: ₡1 149,33
2 116En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD10N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STD10N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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2 116En existencias

Cinta cortada

₡1 149,33

₡731,89

₡492,26

₡394,13

Envase tipo carrete

₡320,95

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

440 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

109 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

STF35N60DM2
STMicroelectronics
1: ₡3 361,25
538En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF35N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STF35N60DM2

STMicroelectronics

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538En existencias

₡3 361,25

₡1 718,58

₡1 604,73

₡1 458,35

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

28 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

STW35N60DM2
STMicroelectronics
1: ₡2 976,33
382En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW35N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STW35N60DM2

STMicroelectronics

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382En existencias

₡2 976,33

₡1 680,63

₡1 382,45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

28 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

STB24N60DM2
STMicroelectronics
1: ₡2 168,55
1 175En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB24N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STB24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

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1 175En existencias

Cinta cortada

₡2 168,55

₡1 420,40

₡997,53

₡824,05

Envase tipo carrete

₡786,10

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

200 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

FDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

STF43N60DM2
STMicroelectronics
1: ₡2 992,60
578En existencias
1 000Se espera el 22/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
STF43N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STF43N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

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578En existencias

1 000Se espera el 22/6/2026

₡2 992,60

₡1 642,68

₡1 501,72

₡1 371,61

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

93 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL33N60DM2
STMicroelectronics
1: ₡3 198,61
1 380En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL33N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STL33N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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1 380En existencias

Cinta cortada

₡3 198,61

₡2 136,02

₡1 534,25

₡1 387,87

₡1 339,08

Envase tipo carrete

₡1 133,07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

115 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

STP28N60DM2
STMicroelectronics
1: ₡2 428,78
2 961En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP28N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STP28N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

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Hoja de datos

2 961En existencias

₡2 428,78

₡1 252,34

₡1 138,49

₡981,27

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

130 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

STP43N60DM2
STMicroelectronics
1: ₡3 225,72
3 000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP43N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STP43N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

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Hoja de datos

3 000En existencias

₡3 225,72

₡1 713,15

₡1 566,78

₡1 414,98

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

93 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package

STW28N60DM2
STMicroelectronics
1: ₡2 759,48
1 094En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW28N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STW28N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package

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1 094En existencias

₡2 759,48

₡1 539,67

₡1 268,60

₡1 073,43

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

130 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package

STW43N60DM2
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₡2 342,03

₡1 946,27

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

93 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag

STW48N60DM2
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₡1 382,45

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

40 A

65 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag

STW56N65DM2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag

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₡6 077,36

₡4 044,35

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

48 A

58 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

88 nC

- 55 C

+ 150 C

360 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package

STW70N60DM2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package

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₡3 778,70

₡3 214,87

₡3 198,61

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

66 A

42 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

STB28N60DM2
STMicroelectronics
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STB28N60DM2

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511-STB28N60DM2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

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Cinta cortada

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Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

130 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

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