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STGD4H60DF

Name: STMicroelectronics STGD4H60DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGD4H60DF
Price: 713 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STGD4H60DF

Fabricante N.º:

STGD4H60DF

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 4 A high speed H series IGBT

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STGD4H60DF Hoja de datos (PDF)

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₡-

Precio ext.:

₡-

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡713	₡713
	₡449	₡4 490
	₡296	₡29 600
	₡237	₡118 500
	₡213	₡213 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡192	₡480 000
	₡164	₡820 000
	₡155	₡1 550 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	600 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.95 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	8 A
Dp - Disipación de potencia :	75 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Corriente de fuga puerta-emisor:	250 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	330 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STGD4H60DF 600V 4A High-Speed H Series IGBT

STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A High-Speed H Series IGBT is designed with an advanced trench gate field-stop structure. The STMicroelectronics STGD4H60DF IGBTs in the H Series balance conduction and switching efficiency, making them ideal for high-frequency converters. The devices also offer a slightly positive V_CE(sat) temperature coefficient and consistent parameter distribution for safer parallel operation.