Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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Infineon Technologies
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29 732En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N06S2L13ATMA2

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726-IPD50N06S2L13ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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29 732En existencias

Cinta cortada

₡1 295,71

₡769,84

₡569,24

₡450,52

₡414,19

Envase tipo carrete

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50 A

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- 20 V, 20 V

1.6 V

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- 55 C

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136 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPC100N04S51R2ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 360,76
19 898En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPC100N04S51R2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPC100N04S51R2AT

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Cinta cortada

₡1 360,76

₡769,84

₡596,35

₡529,13

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Envase tipo carrete

₡459,73

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: 5 000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

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- 20 V, 20 V

2.8 V

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+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB100N04S4H2ATMA1
Infineon Technologies
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IPB100N04S4H2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB100N04S4H2ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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Cinta cortada

₡1 626,41

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Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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100 A

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Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD50N04S408ATMA1
Infineon Technologies
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IPD50N04S408ATMA1

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726-IPD50N04S408ATMA

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Cinta cortada

₡704,78

₡401,72

₡287,87

₡226,61

Envase tipo carrete

₡177,28

Ver

MouseReel Disponible

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Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPD30N06S2L13ATMA4
Infineon Technologies
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IPD30N06S2L13ATMA4

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N06S2L13AT

Infineon Technologies

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Cinta cortada

₡1 165,60

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₡485,76

₡422,33

₡396,84

Envase tipo carrete

₡375,16

MouseReel Disponible

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DPAK-3 (TO-252-3)

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30 A

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1.2 V

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD90N04S4L-04
Infineon Technologies
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4 206En existencias

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IPD90N04S4L-04

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726-IPD90N04S4L-04

Infineon Technologies

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₡872,84

₡547,56

₡363,23

₡286,79

Envase tipo carrete

₡236,37

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

40 V

90 A

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- 20 V, 20 V

1.2 V

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Enhancement

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPB180N04S4-01
Infineon Technologies
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9 396En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N04S4-01

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-01

Infineon Technologies

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₡2 049,28

₡1 339,08

₡970,43

₡796,94

Envase tipo carrete

₡742,73

MouseReel Disponible

Min.: 1
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N-Channel

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40 V

180 A

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3 V

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD50N04S4-08
Infineon Technologies
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16 154En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N04S4-08

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726-IPD50N04S4-08

Infineon Technologies

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₡666,83

₡415,82

₡273,78

₡217,40

₡193,00

Envase tipo carrete

₡163,73

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

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2 V

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46 W

Enhancement

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IPD90N04S403ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPD90N04S403ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S403ATMA

Infineon Technologies

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₡992,11

₡634,30

₡423,41

₡335,04

Envase tipo carrete

₡265,11

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DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

40 V

90 A

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Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB180N04S4-H0
Infineon Technologies
1: ₡2 206,50
976En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N04S4-H0

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-H0

Infineon Technologies

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₡2 206,50

₡1 447,51

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₡965,00

Envase tipo carrete

₡791,52

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

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- 20 V, 20 V

2 V

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250 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD30N03S4L-14
Infineon Technologies
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8 732En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N03S4L-14

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N03S4L-14

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2

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8 732En existencias

Cinta cortada

₡634,30

₡380,58

₡260,23

₡201,13

Envase tipo carrete

₡148,55

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

30 A

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- 16 V, 16 V

1.5 V

14 nC

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31 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPC50N04S5L5R5ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡786,10
16 249En existencias
93Se espera el 22/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPC50N04S5L5R5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPC50N04S5L5R5AT

Infineon Technologies

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16 249En existencias

93Se espera el 22/5/2026

Cinta cortada

₡786,10

₡414,19

₡303,05

₡251,01

Envase tipo carrete

₡179,45

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

5.5 mOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC120N04S6L012ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 284,87
3 803En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC120N04S6L012ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N04S6L012

Infineon Technologies

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3 803En existencias

Cinta cortada

₡1 284,87

₡764,41

₡539,97

₡446,18

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Envase tipo carrete

₡374,62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.29 mOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUA200N04S5N010AUMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 827,00
2 682En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUA200N04S5N010AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA200N04S5N010

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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2 682En existencias

Cinta cortada

₡1 827,00

₡1 116,80

₡818,63

₡683,09

₡666,83

Envase tipo carrete

₡623,46

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

HSOF-5

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

99 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC100N04S6N015ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 100,54
15 006En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N04S6N015ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N04S6N015

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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15 006En existencias

Cinta cortada

₡1 100,54

₡699,36

₡471,66

₡374,07

₡323,66

Envase tipo carrete

₡302,51

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.42 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD50N04S3-08
Infineon Technologies
1: ₡1 165,60
2 130En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N04S3-08

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S3-08

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

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2 130En existencias

Cinta cortada

₡1 165,60

₡796,94

₡552,98

₡467,32

Envase tipo carrete

₡332,87

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC100N04S6N028ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡862,00
6 768En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N04S6N028ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N04S6N028

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

6 768En existencias

Cinta cortada

₡862,00

₡517,74

₡362,69

₡284,08

₡238,00

Envase tipo carrete

₡216,85

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

62 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC120N04S6L009ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 555,93
5 096En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC120N04S6L009ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N04S6L009

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

5 096En existencias

Cinta cortada

₡1 555,93

₡1 002,95

₡693,94

₡563,82

Ver

Envase tipo carrete

₡486,84

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

980 uOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUA180N04S5N012AUMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 534,25
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N.º de artículo del Fabricante
IAUA180N04S5N012AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA180N04S5N012

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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2 522En existencias

Cinta cortada

₡1 534,25

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Envase tipo carrete

₡552,98

Min.: 1
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HSOF-5

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40 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC120N04S6N010ATMA1
Infineon Technologies
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2 220En existencias

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IAUC120N04S6N010ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.03 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

108 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V,40V)

IPC70N04S5L4R2ATMA1
Infineon Technologies
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IPC70N04S5L4R2ATMA1

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

70 A

3.4 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

30 nC

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+ 175 C

50 W

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AEC-Q101

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V

IPB180N04S4LH0ATMA1
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IPB180N04S4LH0ATMA1

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

1 mOhms

- 16 V, 20 V

1.7 V

310 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB70N04S4-06
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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

70 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4-12
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NRND

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

12.2 mOhms

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3 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPG20N04S412AATMA1
Infineon Technologies
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IPG20N04S412AATMA1

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726-IPG20N04S412AATM

NRND

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TDSON-8

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2 Channel

40 V

20 A

12.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

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Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

770 uOhms
800 uOhms
900 uOhms
980 uOhms
1 mOhms
1.03 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.21 mOhms
1.29 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.42 mOhms
1.5 mOhms
1.52 mOhms
1.58 mOhms
1.7 mOhms
1.73 mOhms
1.8 mOhms

8.7 nC
13 nC
13.7 nC
14 nC
15 nC
17 nC
18 nC
18.2 nC
19 nC
20 nC
22 nC
22.4 nC
23 nC
24.2 nC
25 nC
26 nC
27 nC
29 nC
30 nC
31 nC

26 W
31 W
34 W
41 W
42 W
46 W
48 W
50 W
54 W
56 W
58 W
62 W
63 W
65 W
68 W
71 W
75 W
94 W
100 W
103 W