20V to 40V N-Channel Automotive MOSFETs

Infineon Technologies 20V to 40V N-Channel Automotive MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications, and available in a wide range of package types, including D-PAK, TOLL (HSOF-8),  TOLG (HSOG-8), and SSO8 (TDSON-8). These MOSFETs address broad range of applications, including EPS motor control, 3-phase and H-bridge motors, HVAC fan control, and electric pumps in combination with PWM control.

Resultados: 116
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
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29 785En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 55 V 50 A 12.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 69 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
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9 397En existencias
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Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 135 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
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3 348En existencias
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Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 800 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 286 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
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16 369En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 22.4 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
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19 039En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 66 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
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9 287En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 6.2 mOhms - 16 V, 20 V 1.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
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976En existencias
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Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 225 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
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4 223En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 55 V 30 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2
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9 440En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 70 A 3.6 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 48 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
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4 444En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 60 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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12 739En existencias
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Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 5.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 23 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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19 898En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 131 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2
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5 664En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 91 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2
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8 752En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 30 A 13.6 mOhms - 16 V, 16 V 1.5 V 14 nC - 55 C + 175 C 31 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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1 892En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 90 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
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6 214En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 22.4 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
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5 491En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 66 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
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16 413En existencias
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Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 12.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
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7 282En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5 000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 7.2 mOhms, 7.2 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 39 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T
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1 800En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
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2 140En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 27 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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14 402En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 41 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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3 918En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 10.1 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 26 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
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9 352En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 7.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
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11 952En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 11.6 mOhms - 16 V, 16 V 1.7 V 26 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel