20V to 40V N-Channel Automotive MOSFETs

Infineon Technologies 20V to 40V N-Channel Automotive MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications, and available in a wide range of package types, including D-PAK, TOLL (HSOF-8),  TOLG (HSOG-8), and SSO8 (TDSON-8). These MOSFETs address broad range of applications, including EPS motor control, 3-phase and H-bridge motors, HVAC fan control, and electric pumps in combination with PWM control.

Resultados: 116
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
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9 144En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 12.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8
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5 948En existencias
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Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 7.2 mOhms - 16 V, 16 V 1.7 V 50 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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1 675En existencias
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Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 151 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V,40V)
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4 008En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 32.6 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V,40V)
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1 731En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 2.6 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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732En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 90 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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689En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.58 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 134 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2
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682En existencias
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Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 137 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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735En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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1 526En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 33 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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826En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 33 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
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1 352En existencias
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Carrete: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 6.2 mOhms - 16 V, 20 V 1.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
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1 697En existencias
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Carrete: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 75 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 32 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
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1 692En existencias
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 90 A 1.8 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 140 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
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1 681En existencias
2 500Se espera el 16/2/2026
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 86 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 37 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2
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500En existencias
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Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 176 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2
Hoja de datos
478En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 134 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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14En existencias
15 000En pedido
Min.: 1
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Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.42 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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483En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 980 uOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 128 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
975En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 115 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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849En existencias
5 000Se espera el 9/7/2026
Min.: 1
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Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 4.36 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 13 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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453En existencias
15 000Se espera el 30/4/2026
Min.: 1
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Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 5.5 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 23 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
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1 760En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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Carrete: 5 000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 8 mOhms - 16 V, 16 V 1.7 V 50 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V
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319En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 2.3 mOhms - 16 V, 20 V 1.7 V 190 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
225En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel