20V to 40V N-Channel Automotive MOSFETs

Infineon Technologies 20V to 40V N-Channel Automotive MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications, and available in a wide range of package types, including D-PAK, TOLL (HSOF-8),  TOLG (HSOG-8), and SSO8 (TDSON-8). These MOSFETs address broad range of applications, including EPS motor control, 3-phase and H-bridge motors, HVAC fan control, and electric pumps in combination with PWM control.

Resultados: 115
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
Hoja de datos
826En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 33 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
975En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 115 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
Hoja de datos
10 000Se espera el 30/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 11.2 mOhms - 16 V, 16 V 2.2 V 41 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 240 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 221 nC - 55 C + 175 C 231 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas
Min.: 7 000
Mult.: 7 000
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 66 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS-T2
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.88 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 134 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 46 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 10.1 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 26 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL_30/40V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 8.2 mOhms - 16 V, 16 V 1.7 V 39 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.1 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 140 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.5 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 95 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 240 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 Tube