Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Resultados: 451
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET 805En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 760 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 86 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN 1 400En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 237 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 93 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH 2 239En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 102 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 31 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG 9 941En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SO-8FL-4 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL IN DPAK 2 251En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 163 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 80.6 nC - 55 C + 175 C 117 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 7 389En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 70 A 5.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 16 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS 2 977En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 42 A 11.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL 1 466En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL 30 998En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 6 nC - 55 C + 175 C 20 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3mOhm 133A Single N-Channel 6 000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 133 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 40.7 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM 5 000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 71 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 26 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM 1 344En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 25 V 22.4 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 40 nC - 55 C + 150 C 2.66 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel 2 965En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET 2 069En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 252 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 134 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO 1 373En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM 3 950En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 9.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 15.2 nC - 55 C + 175 C 26 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL 3 660En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 107 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET 1 357En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 378 A 570 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 128 nC - 55 C + 175 C 3.9 W, 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE 820En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 36 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 3.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL 898En existencias
3 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 78 A 4.5 mOhms 20 V 2 V 23 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi NTMFS0D6N03CT1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION 4 334En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 433 A 620 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 65 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 38A 9.1MOH 3 091En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 38 A 9.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 15.2 nC - 55 C + 150 C 5.32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL 729En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 50 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V SG NCH 1 887En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 433 A 630 uOhms - 20 V, 20 V 1 V 205 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO 1 500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 19 A 29.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 4.7 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape