Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN S08FL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 MOHM T6 S08FL SING
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL
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