Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN S08FL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 312A 900MO
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 49A 8.1Ohm Single N-Channel
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
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