Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 30V NCH
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 27.5 mOhm 21A Single N-Channel
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 0.67 MOHMS LL
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onsemi NVMFS5C673NT1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 30V, 55A, 5.9mohm
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SO8FL
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