Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Resultados: 451
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 1 307En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 49 A 8.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7 MOHM T8 S08FL SINGL 1 749En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 52 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 16 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL 1 384En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 48 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 10 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET 2 515En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si LFPAK-4 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET 1 448En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 140 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel 3 000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 35 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 30V NCH 1 707En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 370 A 670 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 230 nC - 55 C + 150 C 3.84 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL 1 400En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 69 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 16 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 27.5 mOhm 21A Single N-Channel 2 368En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 21 A 27.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 2.7 nC - 55 C + 175 C 24 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 1 487En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 49 A 8.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 640En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 60 V 250 A 1.13 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 3.8 W, 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V 3.0 mOhms 150 A 705En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 34 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel 2 970En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 71 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 16 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 126A 2.8MO 1 361En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 130 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 50 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3 MOHM T6 S08FL SIN 1 521En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 71 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 16 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 10Ohm 38A Single N-Channel 2 994En existencias
3 000Se espera el 19/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 38 A 10.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 7.3 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 30V NCH U8FL 973En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 162 A 2.25 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 20 nC - 55 C + 175 C 3.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.0 Ohm 142A Single N-Channel 1 280En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 142 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 49 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN 1 480En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO 1 000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 159 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 45.2 nC - 55 C + 175 C 77 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET 697En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 52 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO 2 943En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 116 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 3.61 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NVMFS5C673NT1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG 1 500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 30V, 55A, 5.9mohm 1 460En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 55 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 18.2 nC - 55 C + 175 C 31 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL SO8FL DUAL 1 053En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 100 V 28 A 26 mOhms 20 V 3 V 5.5 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape