Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

NTH4L070N120M3S

Name: onsemi NTH4L070N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L070N120M3S
Price: 5377 CRC
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

863-NTH4L070N120M3S

Fabricante N.º:

NTH4L070N120M3S

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1

Hoja de datos:

NTH4L070N120M3S Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi NTH4L070N120M3S

Disponibilidad

Existencias:: Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.

54 900 Se puede enviar en 20 días

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-

Precio ext.:

₡-

Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡5 377	₡5 377
	₡3 416	₡34 160
	₡2 419	₡241 900
	₡2 413	₡6 515 100
25 200	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	37 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	91 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.4 V
Qg - Carga de puerta:	49 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	252 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	11 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	9 S
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	12 ns
Serie:	NTH4L070N120M3S
Cantidad de empaque de fábrica:	450
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	20 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	10 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NTH4L070N120M3S Hoja de datos

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M3S EliteSiC MOSFETs

onsemi M3S EliteSiC MOSFETs are solutions for high-frequency switching applications that employ hard-switched topologies. The onsemi M3S MOSFETs are designed to optimize performance and efficiency. The device has a remarkable ~40% reduction in total switching losses (Etot) compared to the 1200V 20mΩ M1 counterparts. The M3S EliteSiC MOSFETs are perfectly suited for various applications, including solar power systems, onboard chargers, and electric vehicle (EV) charging stations.

Heat Pumps

The heat pump stands as a cornerstone of the global shift towards secure and sustainable heating, harnessing low-emissions electricity to provide reliable warmth. While its primary function is heating, innovative reverse cycle models also offer cooling capabilities. Moreover, by efficiently recovering waste heat and elevating its temperature to practical levels, heat pumps hold immense potential for energy conservation. As businesses pivot towards a low-carbon future, there's a growing demand for more efficient power semiconductors. Balancing cost, footprint, and efficiency is paramount in this pursuit. onsemi Intelligent Power Modules (IPMs) emerge as a noteworthy solution within the heat pump market, offering compact design, high power density, and advanced control features.