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IXSH40N120L2KHV

Name: IXYS IXSH40N120L2KHV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSH40N120L2KHV
Price: 5046 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXSH40N120L2KHV

Fabricante N.º:

IXSH40N120L2KHV

Fabricante:

IXYS

Descripción:

MOSFETs de SiC 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

Ciclo de vida:

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IXSH40N120L2KHV Hoja de datos (PDF)

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡5 046	₡5 046
	₡4 849	₡581 880
	₡4 756	₡2 425 560

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4L
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	41 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	104 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	53 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	250 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8.4 ns
Empaquetado:	Tube
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	11.7 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	SiC MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	14.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	3.9 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET SiC IXSH40N120L2KHV

IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET is an industrial-grade, single-switch SiC MOSFET exhibiting good power cycling characteristics and very fast, low-loss switching behavior. This MOSFET is designed with an ultra-fast intrinsic body diode and offers a maximum virtual junction temperature of 175°C. The IXSH40N120L2KHV MOSFET features high blocking voltage with low on-resistance and high-speed switching with low capacitance. The IXSH40N120L2KHV MOSFET is used in switch mode power supplies, solar inverters, UPS, motor drives, DC/DC converters, EV charging infrastructure, and induction heating applications.