Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 104

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs SO-8

SI4204DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 523,41
12 777En existencias

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SI4204DY-T1-GE3

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781-SI4204DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs SO-8

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₡1 523,41

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₡672,25

₡541,05

₡506,36

Envase tipo carrete

₡473,29

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: 2 500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

20 V

19.8 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

3.25 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs SO-8

SI9933CDY-T1-E3
Vishay / Siliconix
1: ₡542,14
27 174En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI9933CDY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI9933CDY-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs SO-8

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27 174En existencias

Cinta cortada

₡542,14

₡267,82

₡181,07

₡138,25

₡125,78

Envase tipo carrete

₡125,78

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

20 V

4 A

58 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

26 nC

- 50 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

SIZF914DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 252,34
2 950En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZF914DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZF914DT-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

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Cinta cortada

₡1 252,34

₡688,51

₡547,56

₡467,32

Envase tipo carrete

₡374,62

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SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel, NPN

2 Channel

25 V

40 A, 60 A

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- 12 V, 16 V

1.1 V

14 nC, 65 nC

- 50 C

+ 150 C

26.6 W, 60 W

Enhancement

TrenchFET, SkyFET, PowerPAIR

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V Vds PowerPAIR 6x5F

SIZF920DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 517,98
7 382En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SIZF920DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZF920DT-T1-GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V Vds PowerPAIR 6x5F

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Cinta cortada

₡1 517,98

₡981,27

₡677,67

₡558,40

Envase tipo carrete

₡534,55

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SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

76 A, 197 A

3.07 mOhms, 1.05 mOhms

- 16 V, - 12 V, 16 V, 20 V

1.1 V

29 nC, 125 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W, 74 W

Enhancement

TrenchFET; PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET

SI5515CDC-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: ₡704,78
2 421En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI5515CDC-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI5515CDC-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET

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Cinta cortada

₡704,78

₡441,30

₡291,13

₡224,99

Envase tipo carrete

₡178,36

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SMD/SMT

ChipFET-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

4 A

36 mOhms, 100 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

11.3 nC, 11 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS782DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡585,51
4 666En existencias

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SIS782DN-T1-GE3

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78-SIS782DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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Cinta cortada

₡585,51

₡364,86

₡238,00

₡183,78

Envase tipo carrete

₡143,12

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Min.: 1
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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

16 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

30.5 nC

- 50 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 6 x 5

SIZ926DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 068,01
5 662En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ926DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ926DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 6 x 5

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5 662En existencias

Cinta cortada

₡1 068,01

₡683,09

₡456,48

₡361,06

Envase tipo carrete

₡312,81

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Min.: 1
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: 3 000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

25 V

40 A, 60 A

2.2 mOhms, 4.8 mOhms

- 12 V, 16 V

2.2 V

12.5 nC, 27 nC

- 55 C

+ 150 C

20.2 W, 40 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

SIA921EDJ-T4-GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡585,51
5 150En existencias

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SIA921EDJ-T4-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA921EDJ-T4-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

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₡585,51

₡364,86

₡238,00

₡183,78

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₡151,26

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SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

2 Channel

20 V

4.5 A

59 mOhms

- 12 V, 12 V

500 mV

23 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

SIZ902DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 100,54
1 617En existencias

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SIZ902DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ902DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

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Cinta cortada

₡1 100,54

₡704,78

₡476,54

₡378,41

Envase tipo carrete

₡328,54

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: 3 000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

16 A

12 mOhms, 6.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

21 nC, 65 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W, 66 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 20V Vgs SO-8

SI4943CDY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 409,56
1 776En existencias

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SI4943CDY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4943CDY-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 20V Vgs SO-8

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Cinta cortada

₡1 409,56

₡910,79

₡623,46

₡496,06

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₡413,65

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: 2 500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

20 V

8 A

19.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

SIA811ADJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡471,66
5 746En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA811ADJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIA811ADJ-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

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Cinta cortada

₡471,66

₡292,75

₡189,21

₡144,75

Envase tipo carrete

₡130,11

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: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-SC70-6

P-Channel

1 Channel

20 V

4.5 A

116 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

13 nC

- 55 C

+ 150 C

6.5 W

Enhancement

LITTLE FOOT, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 2NCH 20V 1.3A

SI1922EDH-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: ₡352,39
8 024En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
SI1922EDH-T1-BE3

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78-SI1922EDH-T1-BE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 2NCH 20V 1.3A

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Cinta cortada

₡352,39

₡209,27

₡140,96

₡113,31

Envase tipo carrete

₡78,07

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

1.3 A

198 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

2.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET

SI5936DU-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡634,30
99 191En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI5936DU-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI5936DU-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET

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99 191En existencias

Cinta cortada

₡634,30

₡397,39

₡261,31

₡240,71

Envase tipo carrete

₡186,50

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

ChipFET-8

N-Channel

2 Channel

30 V

6 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

10.4 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7252DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 642,68
23 151En existencias

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SI7252DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7252DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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23 151En existencias

Cinta cortada

₡1 642,68

₡1 046,33

₡753,57

₡607,19

₡585,51

Envase tipo carrete

₡542,14

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

100 V

36.7 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs TSOP-6

SI3932DV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡552,98
118 130En existencias

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SI3932DV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI3932DV-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs TSOP-6

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Cinta cortada

₡552,98

₡310,10

₡224,44

₡172,94

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₡137,70

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: 3 000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

2 Channel

30 V

3.7 A

58 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.4 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7997DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡2 038,44
58 783En existencias

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SI7997DP-T1-GE3

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781-SI7997DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Cinta cortada

₡2 038,44

₡1 322,82

₡932,48

₡758,99

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₡704,78

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Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

2 Channel

30 V

60 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs SC70-6 N&P PAIR

SI1553CDL-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡384,92
47 822En existencias

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SI1553CDL-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1553CDL-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs SC70-6 N&P PAIR

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₡384,92

₡239,08

₡153,42

₡116,56

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₡88,91

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: 3 000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

700 mA

390 mOhms, 850 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

3 nC

- 55 C

+ 150 C

340 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs SC70-6

SI1902CDL-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡363,23
63 283En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI1902CDL-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1902CDL-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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Cinta cortada

₡363,23

₡224,44

₡143,67

₡108,97

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₡78,61

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

1.1 A

235 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

2 nC

- 55 C

+ 150 C

420 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SC70-6

SI1922EDH-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡374,07
27 117En existencias

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SI1922EDH-T1-GE3

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78-SI1922EDH-T1-GE3

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₡374,07

₡234,75

₡154,51

₡119,27

Envase tipo carrete

₡85,12

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

1.3 A

198 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

2.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR

SI3585CDV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR

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SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

2.1 A, 3.9 A

58 mOhms, 195 mOhms

- 8 V, 8 V

600 mV

3.2 nC, 6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W, 1.4 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6

SI3993CDV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

2 Channel

30 V

2.2 A

133 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.15 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

SI4554DY-T1-GE3
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Vishay / Siliconix

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V

8 A

24 mOhms, 27 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V, 1.2 V

13.3 nC, 41.5 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W, 3.2 W

Enhancement

TrenchFET

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SI5948DU-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix

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SMD/SMT

ChipFET-8

N-Channel

2 Channel

40 V

6 A

82 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

5 nC

- 55 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7223DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SI7223DN-T1-GE3

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Vishay Semiconductors

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: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

2 Channel

30 V

6 A

26.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

26.3 nC

- 55 C

+ 150 C

23 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs SC-70 N&P PAIR

SIA527DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡471,66
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SIA527DJ-T1-GE3

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₡292,75

₡189,21

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: 3 000

SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

12 V

4.5 A

29 mOhms, 41 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

15 nC, 26 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

350 mA, 500 mA
450 mA
610 mA
700 mA
1.1 A
1.3 A
2.1 A, 3.9 A
2.2 A
2.5 A
3.7 A
3.7 A, 4 A
4 A
4.1 A
4.3 A, 6 A
4.5 A
5 A
5.8 A
5.8 A, 6.8 A
5.9 A
6 A

850 uOhms
960 uOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms, 4.8 mOhms
3 mOhms, 900 uOhms
3.07 mOhms, 1.05 mOhms
3.25 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.8 mOhms, 1.17 mOhms
4.2 mOhms
4.39 mOhms, 1.06 mOhms
4.6 mOhms
4.7 mOhms, 1.1 mOhms
4.7 mOhms, 2.2 mOhms
5.3 mOhms, 9.3 mOhms
5.5 mOhms
5.5 mOhms, 5.8 mOhms
5.6 mOhms
5.7 mOhms, 2.8 mOhms

400 mV
500 mV
600 mV
600 mV, 500 mV
1 V
1 V, 1.2 V
1.1 V
1.1 V, 1 V
1.2 V
1.2 V, 1.1 V
1.2 V, 1.4 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.5 V, 2.5 V
2.1 V
2.2 V
2.2 V, 2.4 V
2.5 V
2.7 V

950 pC
1.3 nC
1.3 nC, 1.65 nC
2 nC
2.4 nC
2.5 nC
3 nC
3.2 nC, 6 nC
3.7 nC, 5.3 nC
4 nC
4.2 nC
4.2 nC, 5.6 nC
5 nC
5.2 nC
6 nC
6 nC, 7.8 nC
6.6 nC, 10 nC
7.8 nC, 11.6 nC
8 nC
9 nC

220 mW
340 mW
420 mW
1.15 W
1.25 W
1.3 W, 1.4 W
1.4 W
1.4 W, 2.4 W
1.6 W, 1.7 W
2 W
2.3 W
2.6 W
2.78 W
2.8 W
3 W, 3.1 W
3.1 W
3.1 W, 3.2 W
3.2 W
3.25 W
3.5 W