Resultados: 66
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 40V 150A 8DSOP
Hoja de datos
10 040En existencias
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Min.: 1
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: 5 000

Si SMD/SMT DSOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 800 uOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 103 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W
Hoja de datos
12 875En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT DSOP-8 N-Channel 1 Channel 45 V 300 A 1.65 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 122 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DPAK-OS PD=75W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
16 345En existencias
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Min.: 1
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: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
Hoja de datos
5 165En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 180 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 86 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Volt N-Channel
Hoja de datos
8 071En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 92 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 27 nC - 55 C + 175 C 81 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 5800pF 81nC 280A 132W
Hoja de datos
5 709En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 280 A 610 uOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 81 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 2100pF 30nC 87A 81W
Hoja de datos
19 357En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 87 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 30 nC - 55 C + 175 C 81 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W
Hoja de datos
2 342En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 45 V 150 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 99 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
Hoja de datos
26 338En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 90 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 22 nC - 55 C + 175 C 69 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2970pF 41nC 33A 30W
Hoja de datos
25 376En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 188 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 41 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET 40V 0.00067Ohm SOP Advance(N) U-MOS11-H
Hoja de datos
3 350En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 341 A 1 mOhms 20 V 2.5 V 106 nC + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2940pF 50nC 134A 90W
Hoja de datos
3 000En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 134 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 50 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
18 773En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT DSOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 150 A 840 uOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 110 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V U-MOS IX-H SOP-Advance(N) 3.7mohm
Hoja de datos
2 485En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 90 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 67 nC - 55 C + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
17 156En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 91 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=116W F=1MHZ
Hoja de datos
31 780En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 78 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 100V 150A N-CH MOSFET
Hoja de datos
35 587En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 67 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET ID=240A VDSS=100V
Hoja de datos
884En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 240 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 161 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 4670pF 60nC 130A 87W
Hoja de datos
3 416En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 130 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 60 nC - 55 C + 175 C 87 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=54W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
5 520En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 161 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 106A 87W
Hoja de datos
2 454En existencias
10 750En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 106 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 48.2 nC - 55 C + 175 C 87 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 106A 87W
Hoja de datos
2 172En existencias
7 500Se espera el 17/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 106 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 48.2 nC - 55 C + 175 C 87 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 1990pF 26nC 74A 66W
Hoja de datos
9 699En existencias
37 500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 74 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 26 nC - 55 C + 175 C 66 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK PD=93W F=1MHZ
Hoja de datos
3 168En existencias
2 500Se espera el 18/5/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 79 A 7.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 44 nC - 55 C + 175 C 93 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
Hoja de datos
10 000En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 45 V 232 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 74 nC + 175 C 132 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel