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NTBG014N120M3P

Name: onsemi NTBG014N120M3P
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBG014N120M3P
Price: 16031 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTBG014N120M3P

Fabricante N.º:

NTBG014N120M3P

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 14 mohm, 1200 V, M3P, D2PAK-7L

Hoja de datos:

NTBG014N120M3P Hoja de datos

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	₡16 031	₡16 031
	₡13 015	₡130 150
	₡12 719	₡6 359 500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	₡12 331	₡9 864 800

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	104 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	20 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.63 V
Qg - Carga de puerta:	337 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	454 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	14 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	29 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	40 ns
Serie:	NTBG014N120M3P
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	74 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	24 ns

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PCN

Product Change Notification 2024-06-26 (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M3P EliteSiC MOSFETs

onsemi M3P EliteSiC MOSFETs are a solution for high-voltage applications with a maximum voltage rating of 1200V. The onsemi M3P MOSFETs come in D2PAK7, TO-247-3LD, and TO-247-4LD packages/ The MOSFETs provide versatility for various design requirements. With a maximum gate-to-source voltage of +22V/-10V, EliteSiC MOSFETs boast improved parasitic capacitances, including Coss, Ciss, and Crss.

MOSFET de carburo de silicio (SiC) NTBG014N120M3P

El MOSFET de carburo de silicio (SiC) NTBG014N120M3P de onsemi forma parte de la familia de MOSFETs SiC de tecnología planar M3P 1200 V. Los MOSFET de onsemi están optimizados para aplicaciones de potencia. La tecnología Planar funciona de manera confiable con controladores de voltaje de puerta negativo y apaga los picos en la puerta. Esta familia tiene un rendimiento óptimo cuando se controla con una unidad de puertas de 18 V, pero también funciona bien con una unidad de puertas de 15 V.