Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 31

Filtros aplicados:

Id - Corriente de drenaje continua

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Potencia de salida

Temperatura de trabajo mínima

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V

MHT1803A
NXP Semiconductors
1: ₡20 933,12
233En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MHT1803A

N.º de artículo de Mouser
771-MHT1803A

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V

233En existencias

₡20 933,12

₡17 003,60

₡15 884,60

₡15 468,23

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

1.8 MHz to 50 MHz

28.2 dB

330 W

+ 150 C

Through Hole

TO-247-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

MRF101AN
NXP Semiconductors
1: ₡23 847,72
2 924En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF101AN

N.º de artículo de Mouser
771-MRF101AN

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

Hoja de datos

2 924En existencias

₡23 847,72

₡19 501,84

₡18 825,23

₡17 758,28

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

8.8 A

133 V

1.8 MHz to 250 MHz

21.1 dB

115 W

- 40 C

+ 150 C

Through Hole

TO-220-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V

AFM907NT1
NXP Semiconductors
1: ₡2 472,21
16 988En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFM907NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFM907NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V

Hoja de datos

16 988En existencias

Cinta cortada

₡2 472,21

₡1 878,88

₡1 727,95

₡1 561,40

Envase tipo carrete

₡1 394,85

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

N-Channel

3 A

30 V

136 MHz to 941 MHz

15 dB

8 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

DFN-16

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V

AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
1: ₡23 712,40
516En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MP075NR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075NR1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V

Hoja de datos

516En existencias

Cinta cortada

₡23 712,40

₡19 293,65

₡18 106,99

₡17 862,37

Ver

Envase tipo carrete

₡16 056,36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

N-Channel

8 A

40 V

136 MHz to 520 MHz

18.5 dB

70 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

TO-270-WB-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V

AFT05MS004NT1
NXP Semiconductors
1: ₡2 040,22
11 119En existencias
11 000Se espera el 7/12/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MS004NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS004NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V

Hoja de datos

11 119En existencias

11 000Se espera el 7/12/2026

Cinta cortada

₡2 040,22

₡1 535,37

₡1 410,46

₡1 275,14

Envase tipo carrete

₡1 129,41

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

N-Channel

4 A

30 V

136 MHz to 941 MHz

20.9 dB

4.9 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

SOT-89-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V

AFT05MS031GNR1
NXP Semiconductors
1: ₡15 613,96
2 021En existencias
2 000Se espera el 22/3/2027
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MS031GNR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031GNR1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V

Hoja de datos

2 021En existencias

2 000Se espera el 22/3/2027

Cinta cortada

₡15 613,96

₡12 579,65

₡11 762,52

₡11 585,56

Ver

Envase tipo carrete

₡10 352,06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

N-Channel

7.5 A

40 V

136 MHz to 520 MHz

17.7 dB

33 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

TO-270-2

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V

MRF1K50NR5
NXP Semiconductors
1: ₡186 175,68
28En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF1K50NR5

N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50NR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V

Hoja de datos

28En existencias

Cinta cortada

₡186 175,68

₡160 730,12

₡154 375,24

Envase tipo carrete

₡150 544,62

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

N-Channel

36 A

133 V

1.8 MHz to 500 MHz

23 dB

1.5 kW

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

OM-1230-4

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V

MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors
1: ₡215 805,77
73En existencias
100Se espera el 1/12/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFE6VP61K25HR5

N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP61K25HR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V

Hoja de datos

73En existencias

100Se espera el 1/12/2026

Cinta cortada

₡215 805,77

₡194 976,75

₡187 528,89

Envase tipo carrete

₡183 032,07

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

N-Channel

30 A

133 V

1.8 MHz to 600 MHz

24 dB

1.25 kW

+ 150 C

Screw Mount

NI-1230H-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V

MRFE6VP6300HR5
NXP Semiconductors
1: ₡175 261,52
48En existencias
250Se espera el 14/12/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFE6VP6300HR5

N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP6300HR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V

Hoja de datos

48En existencias

250Se espera el 14/12/2026

Cinta cortada

₡175 261,52

₡150 315,61

₡143 768,16

Envase tipo carrete

₡140 291,45

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

N-Channel

130 V

1.8 MHz to 600 MHz

26.5 dB

300 W

+ 150 C

Screw Mount

NI-780-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L

MHT1803B
NXP Semiconductors
1: ₡20 449,09
259En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MHT1803B

N.º de artículo de Mouser
771-MHT1803B

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L

259En existencias

₡20 449,09

₡16 592,44

₡15 561,92

₡15 291,27

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

1.8 MHz to 50 MHz

28.2 dB

300 W

+ 150 C

Through Hole

TO-247-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

MRF101BN
NXP Semiconductors
1: ₡20 334,58
103En existencias
500Se espera el 3/9/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF101BN

N.º de artículo de Mouser
771-MRF101BN

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

Hoja de datos

103En existencias

500Se espera el 3/9/2026

₡20 334,58

₡16 545,60

₡16 181,27

₡15 031,04

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

8.8 A

133 V

1.8 MHz to 250 MHz

21.1 dB

115 W

- 40 C

+ 150 C

Through Hole

TO-220-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V

MRFX1K80NR5
NXP Semiconductors
1: ₡183 786,74
43En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFX1K80NR5

N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80NR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V

Hoja de datos

43En existencias

Cinta cortada

₡183 786,74

₡158 627,44

₡152 345,43

Envase tipo carrete

₡148 556,44

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

N-Channel

43 A

179 V

1.8 MHz to 400 MHz

24.4 dB

1.8 kW

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

OM-1230-4

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V

AFT09MS031NR1
NXP Semiconductors
1: ₡11 190,01
53En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT09MS031NR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS031NR1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V

Hoja de datos

53En existencias

Cinta cortada

₡11 190,01

₡8 925,98

₡8 332,65

₡8 171,31

Ver

Envase tipo carrete

₡6 849,32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

N-Channel

10 A

40 V

764 MHz to 941 MHz

15.7 dB

32 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

TO-270-2

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Single N-CDMA Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 880 MHz, 14 W Avg., 28 V

MRFE6S9060NR1
NXP Semiconductors
1: ₡51 265,84
1 000Se espera el 7/12/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFE6S9060NR1

N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6S9060NR1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Single N-CDMA Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 880 MHz, 14 W Avg., 28 V

Hoja de datos

1 000Se espera el 7/12/2026

Cinta cortada

₡51 265,84

₡43 401,61

₡42 698,98

₡39 555,37

Ver

Envase tipo carrete

₡36 016,21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

N-Channel

1.5 A

66 V

1 GHz

21.1 dB

14 W

+ 150 C

Screw Mount

TO-270

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V

AFT27S006NT1
NXP Semiconductors
1: ₡10 726,79
623En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT27S006NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT27S006NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V

Hoja de datos

623En existencias

Cinta cortada

₡10 726,79

₡8 546,04

₡7 963,12

₡7 812,19

Ver

Envase tipo carrete

₡6 661,96

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

N-Channel

65 V

728 MHz to 3.7 GHz

16 dB

28.8 dBm

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

PLD-1.5W

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V

AFM906NT1
NXP Semiconductors
1: ₡2 045,43
49En existencias
1 000En pedido
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFM906NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFM906NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V

Hoja de datos

49En existencias

1 000En pedido

Cinta cortada

₡2 045,43

₡1 540,58

₡1 415,67

₡1 275,14

Envase tipo carrete

₡1 092,98

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

N-Channel

4.7 A

30 V

136 MHz to 941 MHz

16.2 dB

6.5 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

HVSON-16

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1090 MHz, 10 W, 50 V

MRF6V10010NR4
NXP Semiconductors
1: ₡94 880,84
1En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF6V10010NR4

N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V10010NR4

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1090 MHz, 10 W, 50 V

Hoja de datos

1En existencias

Cinta cortada

₡94 880,84

₡80 484,77

₡76 695,78

₡75 555,96

Envase tipo carrete

₡68 014,42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 100

N-Channel

100 V

960 MHz to 1.4 GHz

25 dB

10 W

- 65 C

+ 150 C

Screw Mount

PLD-1.5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

MRF300AN
NXP Semiconductors
1: ₡45 847,80
240Se espera el 2/9/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF300AN

N.º de artículo de Mouser
771-MRF300AN

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

Hoja de datos

240Se espera el 2/9/2026

₡45 847,80

₡38 207,37

₡35 974,57

₡35 969,36

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

30 A

133 V

1.8 MHz to 250 MHz

20.4 dB

330 W

- 40 C

+ 150 C

Through Hole

TO-247-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V

MRFX1K80HR5
NXP Semiconductors
1: ₡218 533,01
735Se espera el 21/12/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFX1K80HR5

N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80HR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V

Hoja de datos

735Se espera el 21/12/2026

Cinta cortada

₡218 533,01

₡189 402,56

₡182 126,46

Envase tipo carrete

₡171 534,99

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

N-Channel

43 A

179 V

1.8 MHz to 400 MHz

25.1 dB

1.8 kW

- 40 C

+ 150 C

Screw Mount

NI-1230H-4

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V

AFT05MS031NR1
NXP Semiconductors
1: ₡12 709,77
2 000Se espera el 22/3/2027
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MS031NR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031NR1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V

Hoja de datos

2 000Se espera el 22/3/2027

Cinta cortada

₡12 709,77

₡10 102,23

Envase tipo carrete

₡7 702,89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

N-Channel

7.5 A

40 V

136 MHz to 520 MHz

17.7 dB

33 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

TO-270-2

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V

MRF1K50HR5
NXP Semiconductors
1: ₡213 219,06
100Se espera el 19/10/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF1K50HR5

N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50HR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V

Hoja de datos

100Se espera el 19/10/2026

Cinta cortada

₡213 219,06

₡184 681,94

₡177 556,77

Envase tipo carrete

₡173 257,73

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

N-Channel

36 A

135 V

1.8 MHz to 500 MHz

23.7 dB

1.5 kW

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

NI-1230H-4S

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V

MRFE6VP5600HR6
NXP Semiconductors
1: ₡169 385,46
150Se espera el 26/11/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFE6VP5600HR6

N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP5600HR6

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V

Hoja de datos

150Se espera el 26/11/2026

Cinta cortada

₡169 385,46

₡145 896,86

₡139 167,24

₡137 303,98

₡127 883,55

Envase tipo carrete

₡127 883,55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 150

N-Channel

130 V

1.8 MHz to 600 MHz

25 dB

600 W

+ 150 C

SMD/SMT

NI-1230

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 100 W AVG., 48 V

AFV09P350-04NR3
NXP Semiconductors
1: ₡85 038,84
248Se espera el 26/10/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFV09P350-04NR3

N.º de artículo de Mouser
841-AFV09P350-04NR3

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 100 W AVG., 48 V

Hoja de datos

248Se espera el 26/10/2026

Cinta cortada

₡85 038,84

₡72 141,71

₡68 592,14

₡66 942,26

₡65 380,86

Envase tipo carrete

₡62 596,37

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

N-Channel

105 V

720 MHz to 960 MHz

19.2 dB

100 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

OM-780-4

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

MRF300BN
NXP Semiconductors
1: ₡45 514,70
Plazo de entrega 15 Semanas
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF300BN

N.º de artículo de Mouser
771-MRF300BN

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

Hoja de datos

Plazo de entrega 15 Semanas

₡45 514,70

₡37 921,11

₡35 703,93

₡33 720,95

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

30 A

133 V

1.8 MHz to 250 MHz

20.4 dB

330 W

- 40 C

+ 150 C

Through Hole

TO-247-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V

AFT09MS007NT1
NXP Semiconductors
1: ₡4 007,58
Plazo de entrega 15 Semanas
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT09MS007NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS007NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V

Hoja de datos

Plazo de entrega 15 Semanas

Cinta cortada

₡4 007,58

₡3 070,75

₡2 649,17

₡2 461,80

Envase tipo carrete

₡1 946,54

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

N-Channel

3 A

30 V

136 MHz to 941 MHz

15.2 dB

7.3 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

PLD-1.5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

13 dB
15 dB
15.2 dB
15.7 dB
16 dB
16.2 dB
17.7 dB
18.5 dB
19.2 dB
19.7 dB
20 dB
20.3 dB
20.4 dB
20.9 dB
21.1 dB
23 dB
23.7 dB
24 dB
24.4 dB
25 dB

4.9 W
6.5 W
7.3 W
8 W
10 W
14 W
28.8 dBm
32 W
33 W
70 W
100 W
115 W
275 W
300 W
330 W
500 W
600 W
1 kW
1.25 kW
1.5 kW