Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Resultados: 33

Filtros aplicados:

Id - Corriente de drenaje continua

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Potencia de salida

Temperatura de trabajo mínima

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V

AFV09P350-04NR3
NXP Semiconductors
1: ₡85 044,05
207En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFV09P350-04NR3

N.º de artículo de Mouser
841-AFV09P350-04NR3

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V

Hoja de datos

207En existencias

Cinta cortada

₡85 044,05

₡72 146,91

₡68 597,34

₡66 947,46

₡62 596,37

Envase tipo carrete

₡62 596,37

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

N-Channel

105 V

720 MHz to 960 MHz

19.2 dB

100 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

OM-780-4

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V

AFT27S006NT1
NXP Semiconductors
1: ₡11 450,24
1 248En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT27S006NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT27S006NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V

Hoja de datos

1 248En existencias

Cinta cortada

₡11 450,24

₡8 551,25

₡7 937,10

₡7 656,05

Ver

Envase tipo carrete

₡6 625,52

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

N-Channel

65 V

728 MHz to 3.7 GHz

16 dB

28.8 dBm

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

PLD-1.5W

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz

MRFX1K80NR5
NXP Semiconductors
1: ₡183 797,15
58En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFX1K80NR5

N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80NR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz

Hoja de datos

58En existencias

Cinta cortada

₡183 797,15

₡158 632,65

₡151 689,64

Envase tipo carrete

₡146 760,83

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

N-Channel

43 A

179 V

1.8 MHz to 400 MHz

24.4 dB

1.8 kW

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

OM-1230-4

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V

AFT05MS004NT1
NXP Semiconductors
1: ₡2 810,51
23 519En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MS004NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS004NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V

Hoja de datos

23 519En existencias

Cinta cortada

₡2 810,51

₡1 832,04

₡1 608,24

₡1 519,76

Envase tipo carrete

₡1 129,41

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

N-Channel

4 A

30 V

136 MHz to 941 MHz

20.9 dB

4.9 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

SOT-89-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H

MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors
1: ₡226 683,50
138En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFE6VP61K25HR5

N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP61K25HR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H

Hoja de datos

138En existencias

Cinta cortada

₡226 683,50

₡195 955,22

₡188 293,97

Envase tipo carrete

₡183 656,63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

N-Channel

30 A

133 V

1.8 MHz to 600 MHz

24 dB

1.25 kW

+ 150 C

Screw Mount

NI-1230H-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor

MRFX1K80HR5
NXP Semiconductors
1: ₡218 533,01
361En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFX1K80HR5

N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80HR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor

Hoja de datos

361En existencias

Cinta cortada

₡218 533,01

₡189 402,56

₡182 126,46

Envase tipo carrete

₡177 738,93

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

N-Channel

43 A

179 V

1.8 MHz to 400 MHz

25.1 dB

1.8 kW

- 40 C

+ 150 C

Screw Mount

NI-1230H-4

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power

AFM907NT1
NXP Semiconductors
1: ₡3 409,05
10 000En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFM907NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFM907NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power

Hoja de datos

10 000En existencias

Cinta cortada

₡3 409,05

₡2 232,80

₡1 894,49

₡1 759,17

Envase tipo carrete

₡1 394,85

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

N-Channel

3 A

30 V

136 MHz to 941 MHz

15 dB

8 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

DFN-16

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V

AFT05MS031GNR1
NXP Semiconductors
1: ₡20 063,94
1 708En existencias
1 500En pedido
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MS031GNR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031GNR1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V

Hoja de datos

1 708En existencias

1 500En pedido

Cinta cortada

₡20 063,94

₡16 300,98

₡15 358,93

₡14 323,21

₡13 859,99

Envase tipo carrete

₡13 532,10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

N-Channel

7.5 A

40 V

136 MHz to 520 MHz

17.7 dB

33 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

TO-270-2

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V

MRF1K50HR5
NXP Semiconductors
1: ₡213 219,06
64En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF1K50HR5

N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50HR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V

Hoja de datos

64En existencias

Cinta cortada

₡213 219,06

₡184 681,94

₡177 561,98

Envase tipo carrete

₡173 262,93

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

N-Channel

36 A

135 V

1.8 MHz to 500 MHz

23.7 dB

1.5 kW

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

NI-1230H-4S

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4

MRFE6VP6300HR5
NXP Semiconductors
1: ₡175 261,52
270En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFE6VP6300HR5

N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP6300HR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4

Hoja de datos

270En existencias

Cinta cortada

₡175 261,52

₡150 315,61

₡143 768,16

Envase tipo carrete

₡140 291,45

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

N-Channel

130 V

1.8 MHz to 600 MHz

26.5 dB

300 W

+ 150 C

Screw Mount

NI-780-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L

MHT1803B
NXP Semiconductors
1: ₡20 449,09
300En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MHT1803B

N.º de artículo de Mouser
771-MHT1803B

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L

300En existencias

₡20 449,09

₡16 592,44

₡15 561,92

₡15 291,27

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

1.8 MHz to 50 MHz

28.2 dB

300 W

+ 150 C

Through Hole

TO-247-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V

AFT09MS031NR1
NXP Semiconductors
1: ₡10 175,10
217En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT09MS031NR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS031NR1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V

Hoja de datos

217En existencias

Cinta cortada

₡10 175,10

₡8 114,06

₡7 598,79

₡7 380,20

Envase tipo carrete

₡6 890,96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

N-Channel

10 A

40 V

764 MHz to 941 MHz

15.7 dB

32 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

TO-270-2

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET

MRFE6S9060NR1
NXP Semiconductors
1: ₡50 974,38
106En existencias
1 000Se espera el 13/7/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFE6S9060NR1

N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6S9060NR1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET

Hoja de datos

106En existencias

1 000Se espera el 13/7/2026

Cinta cortada

₡50 974,38

₡42 548,05

₡40 445,37

₡39 669,87

Ver

Envase tipo carrete

₡36 364,92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

N-Channel

1.5 A

66 V

1 GHz

21.1 dB

14 W

+ 150 C

Screw Mount

TO-270

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V

AFM906NT1
NXP Semiconductors
1: ₡2 331,68
54En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFM906NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFM906NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V

Hoja de datos

54En existencias

Cinta cortada

₡2 331,68

₡1 733,15

₡1 519,76

₡1 431,28

Ver

Envase tipo carrete

₡1 066,95

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

N-Channel

4.7 A

30 V

136 MHz to 941 MHz

16.2 dB

6.5 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

HVSON-16

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4

AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
1: ₡32 341,72
8En existencias
500Se espera el 1/7/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MP075NR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075NR1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4

Hoja de datos

8En existencias

500Se espera el 1/7/2026

Cinta cortada

₡32 341,72

₡22 468,49

Envase tipo carrete

₡22 463,29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

N-Channel

8 A

40 V

136 MHz to 520 MHz

18.5 dB

70 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

TO-270-WB-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 10W PULSE PLD1.5

MRF6V10010NR4
NXP Semiconductors
1: ₡92 408,63
1En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF6V10010NR4

N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V10010NR4

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 10W PULSE PLD1.5

Hoja de datos

1En existencias

Cinta cortada

₡92 408,63

₡78 387,29

₡74 697,19

₡73 703,11

Envase tipo carrete

₡68 545,29

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 100

N-Channel

100 V

960 MHz to 1.4 GHz

25 dB

10 W

- 65 C

+ 150 C

Screw Mount

PLD-1.5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

MRF101AN
NXP Semiconductors
1: ₡23 134,69
2 602Se espera el 29/6/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF101AN

N.º de artículo de Mouser
771-MRF101AN

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

Hoja de datos

2 602Se espera el 29/6/2026

₡23 134,69

₡18 903,30

₡18 424,48

₡16 540,39

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

8.8 A

133 V

1.8 MHz to 250 MHz

21.1 dB

115 W

- 40 C

+ 150 C

Through Hole

TO-220-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

MRF300AN
NXP Semiconductors
1: ₡45 551,13
479Se espera el 1/7/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF300AN

N.º de artículo de Mouser
771-MRF300AN

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

Hoja de datos

479Se espera el 1/7/2026

₡45 551,13

₡38 212,57

₡33 986,39

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

30 A

133 V

1.8 MHz to 250 MHz

20.4 dB

330 W

- 40 C

+ 150 C

Through Hole

TO-247-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V

AFT05MS031NR1
NXP Semiconductors
1: ₡12 027,96
988Se espera el 1/7/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MS031NR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031NR1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V

Hoja de datos

988Se espera el 1/7/2026

Cinta cortada

₡12 027,96

₡9 628,61

₡8 967,62

₡8 785,46

Ver

Envase tipo carrete

₡8 301,42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

N-Channel

7.5 A

40 V

136 MHz to 520 MHz

17.7 dB

33 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

TO-270-2

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W

AFT09MS007NT1
NXP Semiconductors
1: ₡4 085,65
9 208En pedido
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT09MS007NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS007NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W

Hoja de datos

9 208En pedido

Cinta cortada

₡4 085,65

₡3 138,41

₡2 878,17

₡2 800,10

Ver

Envase tipo carrete

₡2 238,00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

N-Channel

3 A

30 V

136 MHz to 941 MHz

15.2 dB

7.3 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

PLD-1.5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V

MHT1803A
NXP Semiconductors
1: ₡20 339,79
239Se espera el 1/10/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MHT1803A

N.º de artículo de Mouser
771-MHT1803A

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NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V

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N-Channel

1.8 MHz to 50 MHz

28.2 dB

330 W

+ 150 C

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TO-247-3

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N-Channel

8.8 A

133 V

1.8 MHz to 250 MHz

21.1 dB

115 W

- 40 C

+ 150 C

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Tube

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30 A

133 V

1.8 MHz to 250 MHz

20.4 dB

330 W

- 40 C

+ 150 C

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64 mA

105 V

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19.1 dB

2 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

PQFN-24

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: 500

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10 A

40 V

764 MHz to 941 MHz

15.7 dB

32 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

TO-270-2

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

13 dB
15 dB
15.2 dB
15.7 dB
16 dB
16.2 dB
17.7 dB
18.5 dB
19.1 dB
19.2 dB
19.7 dB
20 dB
20.4 dB
20.9 dB
21.1 dB
23.7 dB
24 dB
24.4 dB
25 dB
25.1 dB

2 W
4.9 W
6.5 W
7.3 W
8 W
10 W
14 W
28.8 dBm
32 W
33 W
70 W
100 W
115 W
300 W
330 W
500 W
600 W
1 kW
1.25 kW
1.5 kW