Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET PLD1.5N
MRF1518NT1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET PLD1.5N
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Detalles
N-Channel
Si
4 A
40 V
520 MHz
13 dB
8 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PLD-1.5
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 500W 50V NI780H
MRF6V12500HR5
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Detalles
N-Channel
Si
110 V
1.215 MHz to 960 MHz
19.7 dB
500 W
+ 150 C
Screw Mount
NI-780H-2
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
MRFE6VP5600HR5
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N-Channel
Si
2 A
130 V
1.8 MHz to 600 MHz
25 dB
600 W
+ 150 C
SMD/SMT
NI-1230
Reel, Cut Tape, MouseReel
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₡132 182,60
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Mult.: 1
Carrete :
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Detalles
N-Channel
Si
130 V
1.8 MHz to 600 MHz
25 dB
600 W
+ 150 C
SMD/SMT
NI-1230
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MP075N-54M
NXP Semiconductors AFT05MP075N-54M
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N-Channel
Si
8 A
40 V
136 MHz to 520 MHz
18.5 dB
70 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MS004-200M
NXP Semiconductors AFT05MS004-200M
AFT05MS004-200M
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771-AFT05MS004200M
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MS004-200M
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₡213 520,93
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N-Channel
Si
4 A
30 V
136 MHz to 941 MHz
20.9 dB
4.9 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
SOT-89-3
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT27S006N-1000M
NXP Semiconductors AFT27S006N-1000M
AFT27S006N-1000M
NXP Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser
771-AFT27S006N1000M
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N-Channel
Si
65 V
728 MHz to 3.7 GHz
16 dB
28.8 dBm
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
PLD-1.5W
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1KW 50V NI1230H
NXP Semiconductors MRF6VP121KHR5
MRF6VP121KHR5
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841-MRF6VP121KHR5
Fin de vida útil
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1KW 50V NI1230H
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₡502 379,23
50
₡502 379,23
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Carrete :
50
Detalles
N-Channel
Si
110 V
20 dB
1 kW
+ 150 C
Screw Mount
NI-1230-4
Reel, Cut Tape