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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor Tecnología Id - Corriente de drenaje continua Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Frecuencia de trabajo Ganancia Potencia de salida Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Estilo de montaje Paquete / Cubierta Empaquetado
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET PLD1.5N Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

N-Channel Si 4 A 40 V 520 MHz 13 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PLD-1.5 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 500W 50V NI780H Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 50

N-Channel Si 110 V 1.215 MHz to 960 MHz 19.7 dB 500 W + 150 C Screw Mount NI-780H-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H Plazo de entrega 53 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 50

N-Channel Si 2 A 130 V 1.8 MHz to 600 MHz 25 dB 600 W + 150 C SMD/SMT NI-1230 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 150

N-Channel Si 130 V 1.8 MHz to 600 MHz 25 dB 600 W + 150 C SMD/SMT NI-1230 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors AFT05MP075N-54M
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MP075N-54M Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
N-Channel Si 8 A 40 V 136 MHz to 520 MHz 18.5 dB 70 W - 40 C + 150 C SMD/SMT
NXP Semiconductors AFT05MS004-200M
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MS004-200M Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
N-Channel Si 4 A 30 V 136 MHz to 941 MHz 20.9 dB 4.9 W - 40 C + 150 C SMD/SMT SOT-89-3
NXP Semiconductors AFT27S006N-1000M
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT27S006N-1000M Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
N-Channel Si 65 V 728 MHz to 3.7 GHz 16 dB 28.8 dBm - 40 C + 150 C SMD/SMT PLD-1.5W
NXP Semiconductors MRF6VP121KHR5
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1KW 50V NI1230H Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 50

N-Channel Si 110 V 20 dB 1 kW + 150 C Screw Mount NI-1230-4 Reel, Cut Tape