Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 100V MOSFET (UMOS)
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ENHANCE MODE MOSFET 200V N-CHANNEL
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Comp Enh FET 20Vgs w/ H-Bridge
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Chnl UMOS
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 175c N-Ch FET 28mOhm 10V 55A
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V ENH Mode 35mOhm -4.5V -6.0A
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 240V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 33V Single N-Ch Enh 20Vgss 115mA 240mW
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Ch Enh Mode 25mOhm -10V -7.2A
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh Mode 30mOhm 10V 13.8A
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 8V-24V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Ch Enh FET 45mOhm -10V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Avalanche
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30/30V 3.1/2.3A N & P Channel
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 100V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 10.9A N-CHANNEL MOSFET
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V MOSFET (UMOS)
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET 40V 25mOhm -8.6A
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-CH. Low Side MOSFET
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V 8V-24V,TSOT23,3K
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHAN.
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