MOSFETs de SiC – Mouser Costa Rica

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

NTHL025N065SC1
onsemi
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1 292En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL025N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL025N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

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1 292En existencias

₡8 967

₡7 459

₡7 279

₡6 774

₡6 711

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

99 A

28.5 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

164 nC

- 55 C

+ 175 C

348 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

NTHL060N065SC1
onsemi
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569En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL060N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL060N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

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569En existencias

₡5 475

₡3 712

₡3 300

₡3 294

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

47 A

70 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

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176 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

NTH4L060N065SC1
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430En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L060N065SC1

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863-NTH4L060N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

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430En existencias

₡4 895

₡3 602

₡3 503

₡3 381

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

70 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.3 V

74 nC

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+ 175 C

88 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

NTHL045N065SC1
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1 824En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL045N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL045N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

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1 824En existencias

₡7 911

₡5 272

₡4 002

₡3 996

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N-Channel

1 Channel

650 V

66 A

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- 8 V, + 22 V

4.3 V

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291 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L

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N.º de artículo del Fabricante
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N.º de artículo de Mouser
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onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L

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3 923En existencias

Cinta cortada

₡13 903

₡12 151

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₡10 196

Envase tipo carrete

₡10 104

Ver

MouseReel Disponible

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N-Channel

1 Channel

650 V

145 A

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4.3 V

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250 W

Enhancement

EliteSiC

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NTH4L040N120SC1
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MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V

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1 511En existencias

₡10 249

₡7 836

₡7 407

₡7 401

Presupuesto

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

58 A

56 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

319 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V

NTBG040N120SC1
onsemi
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N.º de artículo del Fabricante
NTBG040N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG040N120SC1

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MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V

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1 014En existencias

Cinta cortada

₡10 602

₡8 949

₡8 862

₡8 016

Envase tipo carrete

₡7 708

Ver

MouseReel Disponible

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Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

60 A

56 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V

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onsemi
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N.º de artículo del Fabricante
NTBG160N120SC1

N.º de artículo de Mouser
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MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V

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2 060En existencias

Cinta cortada

₡3 961

₡3 213

₡2 888

₡2 477

Envase tipo carrete

₡2 424

MouseReel Disponible

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Carrete: 800

SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

1.2 kV

19.5 A

224 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

33.8 nC

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+ 175 C

136 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART

NTH4L160N120SC1
onsemi
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2 176En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L160N120SC1

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onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART

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2 176En existencias

₡3 892

₡2 767

₡2 668

₡2 558

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

17.3 A

224 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

111 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V

NTBG080N120SC1
onsemi
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686En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG080N120SC1

N.º de artículo de Mouser
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onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V

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686En existencias

Cinta cortada

₡5 951

₡4 884

₡4 565

₡4 292

Envase tipo carrete

₡3 851

Presupuesto

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SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

110 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

179 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC 60MOHM 900V

NTHL060N090SC1
onsemi
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N.º de artículo del Fabricante
NTHL060N090SC1

N.º de artículo de Mouser
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MOSFETs de SiC 60MOHM 900V

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1 230En existencias

₡5 777

₡4 275

₡4 048

₡3 909

Min.: 1
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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

46 A

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- 8 V, + 22 V

4.3 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS 20MOHM 900V

NTBG020N090SC1
onsemi
1: ₡15 074
1 861En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG020N090SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG020N090SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS 20MOHM 900V

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Hoja de datos

1 861En existencias

Cinta cortada

₡15 074

₡12 563

₡12 145

₡11 612

Envase tipo carrete

₡10 800

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

900 V

112 A

28 mOhms

- 8 V, + 22 V

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200 nC

- 55 C

+ 175 C

477 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V

NTH4L020N120SC1
onsemi
1: ₡16 878
257En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L020N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L020N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V

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Hoja de datos

257En existencias

₡16 878

₡13 932

₡13 897

₡13 891

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

102 A

28 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

220 nC

- 55 C

+ 175 C

510 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

NTH4L045N065SC1
onsemi
1: ₡5 893
1 595En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L045N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L045N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

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Hoja de datos

1 595En existencias

₡5 893

₡4 518

₡4 222

₡4 217

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

50 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

105 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM

NTH4L060N090SC1
onsemi
1: ₡5 638
314En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L060N090SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L060N090SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM

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314En existencias

₡5 638

₡4 280

₡4 182

₡4 060

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

900 V

46 A

84 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS 60MOHM 900V

NTBG060N090SC1
onsemi
1: ₡6 096
1 276En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG060N090SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG060N090SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS 60MOHM 900V

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Hoja de datos

1 276En existencias

Cinta cortada

₡6 096

₡5 046

₡4 634

₡4 095

Envase tipo carrete

₡4 095

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

900 V

44 A

84 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

88 nC

- 55 C

+ 175 C

211 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 31 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L

NTBG045N065SC1
onsemi
1: ₡7 650
828En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG045N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG045N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 31 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L

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Hoja de datos

828En existencias

Cinta cortada

₡7 650

₡5 069

₡4 617

₡4 443

Envase tipo carrete

₡3 990

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

62 A

50 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

105 nC

- 55 C

+ 175 C

121 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS 20MW 1200V

NTBG020N120SC1
onsemi
1: ₡20 445
1 471En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG020N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG020N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS 20MW 1200V

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Hoja de datos

1 471En existencias

Cinta cortada

₡20 445

₡16 988

₡16 977

Envase tipo carrete

₡15 956

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

98 A

28 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

220 nC

- 55 C

+ 175 C

468 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC 20MW 1200V

NTHL020N120SC1
onsemi
1: ₡17 823
603En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL020N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL020N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC 20MW 1200V

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Hoja de datos

603En existencias

₡17 823

₡13 874

₡13 868

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

103 A

28 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

203 nC

- 55 C

+ 175 C

535 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

NTH4L015N065SC1
onsemi
1: ₡15 608
212En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L015N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L015N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

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Hoja de datos

212En existencias

₡15 608

₡11 554

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

142 A

18 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

283 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V

NTH4L080N120SC1
onsemi
1: ₡7 047
253En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L080N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L080N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V

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Hoja de datos

253En existencias

₡7 047

₡4 240

₡3 967

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

29 A

110 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC 20MOHM 900V

NTHL020N090SC1
onsemi
1: ₡13 978
370En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL020N090SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL020N090SC1

onsemi

MOSFETs de SiC 20MOHM 900V

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Hoja de datos

370En existencias

₡13 978

₡11 664

Min.: 1
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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

118 A

28 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

196 nC

- 55 C

+ 175 C

503 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V

NTHL040N120SC1
onsemi
1: ₡11 728
635En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL040N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL040N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V

Obtenga más información

Hoja de datos

635En existencias

₡11 728

₡8 416

Min.: 1
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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

60 A

56 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

348 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V

NTHL160N120SC1
onsemi
1: ₡3 457
990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL160N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL160N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V

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Hoja de datos

990En existencias

₡3 457

₡2 685

₡2 598

₡2 482

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

17 A

224 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

EliteSiC

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

17 A
17.3 A
19.5 A
29 A
30 A
33 A
44 A
46 A
47 A
55 A
58 A
60 A
62 A
66 A
98 A
99 A
102 A
103 A
112 A
118 A

88 W
111 W
119 W
121 W
136 W
170 W
176 W
179 W
187 W
211 W
221 W
250 W
291 W
319 W
348 W
357 W
468 W
477 W
500 W
503 W