Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low RDS(ON), low QG, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.

Resultados: 34
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK
Hoja de datos
1 087En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 80 V 77 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 34 nC - 55 C + 175 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 40V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2
Hoja de datos
6En existencias
20 000Se espera el 7/5/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2 501
: 5 000

Si SMD/SMT WDFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 207 A 1.3 mOhms 20 V 2.2 V 28 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
183En existencias
13 500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 359
: 1 500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 195 A 1.3 mOhms 20 V 3.5 V 38.6 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE
Hoja de datos
2 676En existencias
1 500Se espera el 26/5/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 399
: 1 500

Si SMD/SMT WDFNW-8 N-Channel 1 Channel 40 V 66 A 4.9 mOhms 20 V 3.5 V 10.6 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
3 276En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 328
: 1 500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 384 A 600 uOhms 20 V 3.5 V 92.2 nC - 55 C + 175 C 157 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 25V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2
Hoja de datos
3 475En existencias
5 000Se espera el 23/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 942
: 5 000

Si SMD/SMT WDFN-9 N-Channel 1 Channel 25 V 310 A 580 uOhms - 12 V, 16 V 2 V 33 nC - 55 C + 150 C 87 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 40V PC33 SOURCE DOWN GEN 2
Hoja de datos
2 943En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 294
: 3 000

Si SMD/SMT WDFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 207 A 1.3 mOhms 20 V 2.2 V 28 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
7 003En existencias
4 500Se espera el 12/3/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 150
: 1 500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 94 A 3.1 mOhms 20 V 3.5 V 15.7 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK
Hoja de datos
2 950En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 80 V 42 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK
Hoja de datos
3 000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK
Hoja de datos
2 350En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 80 V 22 A 38 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 4 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE
Hoja de datos
1 564En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 156
: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 178 A 1.43 mOhms 20 V 3.5 V 35.4 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE
Hoja de datos
1 138En existencias
3 000Se espera el 8/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 414
: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 65 A 4.9 mOhms 20 V 3.5 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
1 425En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 143
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 66 A 4.7 mOhms 20 V 3.5 V 10.6 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Hoja de datos
94En existencias
3 000Se espera el 30/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 310
: 1 500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 380 A 570 uOhms 20 V 3.5 V 87 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
941En existencias
13 500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 444
: 1 500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 233 A 1.05 mOhms 20 V 3.5 V 49.3 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL GEN 2 PACKAGE
Hoja de datos
1 123En existencias
1 500Se espera el 9/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 274
: 1 500

Si SMD/SMT WDFNW-8 N-Channel 1 Channel 40 V 178 A 1.43 mOhms 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK
Hoja de datos
2 216En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 80 V 132 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 64 nC - 55 C + 175 C 137 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T8 IN 3X3 SD PACKAGE
Hoja de datos
2 795En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT WDFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 20.3 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF
Hoja de datos
1 474En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFNW5 N-Channel 80 V 201 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 39 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF
Hoja de datos
3 876En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 80 V 71 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
Hoja de datos
5 802En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TCPAK57 N-Channel 1 Channel 60 V 198 A 1.49 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 92.2 nC - 55 C + 175 C 113 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL
Hoja de datos
2 672En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 14 A 67 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF
Hoja de datos
110En existencias
10 500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 500
: 1 500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 80 V 181 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 53 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF
Hoja de datos
115En existencias
24 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFNW5 N-Channel 1 Channel 80 V 156 A 2.55 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 45 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement Reel, Cut Tape