Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (RDS(ON), ultra-low gate charge (Qg), and low (Qg) x RDS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Qg and Qoss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).

Resultados: 103
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET
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3 374En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 123 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 46 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL
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7 275En existencias
4 500Se espera el 27/5/2026
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 59 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 175 C 73 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL
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7 710En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 22 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL
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1 591En existencias
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Si SMD/SMT WDFN-12 N-Channel 2 Channel 60 V 38 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13.5 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V DFN POWER CLIP 3 X 3
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3 700En existencias
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 43.6 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V DFN POWER CLIP 3X3
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4 099En existencias
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 84 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 108A 8.66m?Ohm Single N-Channel
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4 302En existencias
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 8.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 175 C 73 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL
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9 470En existencias
1 500Se espera el 12/6/2026
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS
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2 071En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 80 V 14 A, 74 A 6.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 0.8MOHM T8 SINGLE S08FL
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896En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL NFET
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659En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 224 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 112 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET
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2 501En existencias
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: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 157 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 64 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL
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31En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 135 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 64 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL
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4 547En existencias
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: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 110 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 52 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V U8FL
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2 309En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 107 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL
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499En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 74 A 6.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 175 C 89 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL
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11 860En existencias
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: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 42 A 13.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET
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1 400En existencias
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: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 32 A 20.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 8.9 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL
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2 326En existencias
Min.: 1
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: 1 500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 8.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 175 C 73 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V 1 PART PROLI FERATI
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1 365En existencias
Min.: 1
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: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 89 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS
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1 477En existencias
Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 80 V 25 A 25.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS
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656En existencias
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Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 330 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 120 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS
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2 724En existencias
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Min.: 1
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: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 106 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 28 nC - 55 C + 150 C 66 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V 1 PART PROLI FERATI
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1 737En existencias
Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 89 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET
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88En existencias
9 000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 80 V 203 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 85 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel