Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (RDS(ON), ultra-low gate charge (Qg), and low (Qg) x RDS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Qg and Qoss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V 1 PART PROLI FERATI
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1 485En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 89 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS
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1 479En existencias
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Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 80 V 25 A 25.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS
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2 853En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 106 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 28 nC - 55 C + 150 C 66 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS
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1 472En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 35 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 224A 1.8mOhm Single N-Channel
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102En existencias
21 000En pedido
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Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 224 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 112 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET
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184En existencias
1 500Se espera el 2/3/2026
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 157 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 64 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL
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2 526En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 77 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 34 nC - 55 C + 175 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL
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2 568En existencias
6 000En pedido
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 59 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 175 C 73 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL
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338En existencias
7 500Se espera el 10/4/2026
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 22 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T8 IN U8FL HEFET
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520En existencias
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 104 A 2.75 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL
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123En existencias
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 41 A 13.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL
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5 449En existencias
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 22 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS
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496En existencias
9 000En pedido
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Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 80 V 74 A 6.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS
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625En existencias
1 500Se espera el 27/2/2026
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Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 80 V 74 A, 14 A 6.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS
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555En existencias
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Si SO-8FL-Dual-8 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS
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2 008En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 80 V 25 A 25.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS
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2 233En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 67 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 17 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS
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1 500En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 67 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 17 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V 1 PART PROLI FERATI
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1 343En existencias
Min.: 1
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Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 89 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET
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132En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 203 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 85 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL
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698En existencias
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Si SO-8FL-4 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL NCH S
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119En existencias
3 000Se espera el 17/3/2026
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 107 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V U8FL
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859En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 107 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL
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1 380En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 74 A 6.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 175 C 89 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL
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1 213En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 57 A 9.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 16 nC - 55 C + 175 C 73 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel