Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (RDS(ON), ultra-low gate charge (Qg), and low (Qg) x RDS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Qg and Qoss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SG SO-8FL-U
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1 430En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 9.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 16 nC - 55 C + 175 C 73 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL
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2 351En existencias
MouseReel Disponible
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Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 42 A 13.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL
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104En existencias
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Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 19.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL
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885En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL
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978En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 23 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6.9 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL
Hoja de datos
1 754En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 23 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6.9 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET
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2 822En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 68 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 19 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL
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1 497En existencias
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 44 A 14.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET
Hoja de datos
2 999En existencias
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 48 A 14.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET
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5 788En existencias
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 33 A 21.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 8.7 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V U8FL
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1 711En existencias
3 000Se espera el 23/2/2026
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 22 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6.9 nC - 55 C + 175 C 31 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL
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4 330En existencias
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 14 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL
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1 480En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT WDFN-8 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V U8FL
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1 484En existencias
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Carrete: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 13 A 55 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 4.7 nC - 55 C + 175 C 18 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V U8FL
Hoja de datos
483En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 13 A 55 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 4.7 nC - 55 C + 175 C 18 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS
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1 495En existencias
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Si SO-8FL-4 Reel, Cut Tape
onsemi NVTFS6H860NLWFTAG
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL
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2 893En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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Carrete: 1 500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V T8 IN U8FL HEFET
Hoja de datos
2En existencias
4 500Se espera el 10/8/2026
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Min.: 1
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 78 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 22.5 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET
Hoja de datos
3 000Se espera el 3/4/2026
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Min.: 1
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Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 157 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 64 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL
Hoja de datos
2 500Se espera el 23/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 8.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 175 C 73 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS
Hoja de datos
5 000Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
Carrete: 5 000
Si SMD/SMT SO-8FL Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS
Hoja de datos
5 000Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
Carrete: 5 000
Si SMD/SMT SO-8FL Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL
Hoja de datos
15 000Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 80 A 6.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 175 C 89 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET
Hoja de datos
42 000Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Carrete: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 43 A 14.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q101 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET
Hoja de datos
21 000Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Carrete: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 32 A 20.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 8.9 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 Reel