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NVH4L095N065SC1

Name: onsemi NVH4L095N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH4L095N065SC1
Price: 7360 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVH4L095N065SC1

Fabricante N.º:

NVH4L095N065SC1

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V

Hoja de datos:

NVH4L095N065SC1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	₡7 360	₡7 360
	₡4 420	₡44 200
	₡4 193	₡503 160

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	31 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	105 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 5 V, + 18 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.3 V
Qg - Carga de puerta:	50 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	64 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Tiempo de caída:	9 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	6.9 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	Mosfets
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	12 ns
Serie:	NVH4L095N065SC1
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	20 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8 ns

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Hoja de datos

NVH4L095N065SC1 Hoja de datos

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

NVH4L095N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NVH4L095N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature advanced technology for better-switching performance and reliability. The onsemi NVH4L095N065SC1 has low ON resistance and compact chip size, resulting in reduced capacitance and gate charge. The device also has high efficiency, fast operation, increased power density, less EMI, and a smaller system size.