CoolMOS™ Power Transistors

Infineon CoolMOS™ Power Transistors use the revolutionary CoolMOS™ technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon. CoolMOS™ C6 and E6 power transistor series combine the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high-class innovation. The resulting devices provide all the benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter, and cooler.

Resultados: 23
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
1 421En existencias
₡1 056,54
₡473,62
₡425,22
₡356,00
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600VCoolMOSCM8PowerTransistor
Hoja de datos
1 485En existencias
Cinta cortada
₡1 519,76
₡832,74
₡723,45
₡608,94
₡582,92
Envase tipo carrete
₡551,69
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 180 mOhms 20 V 4.7 V 17 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1 271En existencias
Cinta cortada
₡3 440,28
₡1 826,83
₡1 670,69
₡1 550,99
Envase tipo carrete
₡1 462,51
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 99 mOhms 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
891En existencias
Cinta cortada
₡3 695,30
₡1 972,56
₡1 806,01
₡1 707,13
Envase tipo carrete
₡1 592,62
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
Hoja de datos
1 000En existencias
Cinta cortada
₡2 472,21
₡1 275,14
₡1 155,43
₡994,09
Envase tipo carrete
₡936,84
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT TO-263 N-Channel 1 Channel 650 V 22.4 A 351 mOhms 20 V 4 V 86 nC - 55 C + 150 C 195.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7
Hoja de datos
1 302En existencias
Cinta cortada
₡1 779,99
₡1 155,43
₡796,31
₡660,99
₡614,15
Envase tipo carrete
₡577,72
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 225 mOhms 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
479En existencias
₡4 012,79
₡2 107,88
₡1 941,34
₡1 800,81
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
3 752En existencias
Cinta cortada
₡1 613,44
₡801,52
₡723,45
₡582,92
₡572,51
Envase tipo carrete
₡525,67
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 218 mOhms 20 V 3 V 18 nC - 40 C + 150 C 59 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
Hoja de datos
8 862En existencias
Cinta cortada
₡634,97
₡295,62
₡262,31
₡203,50
Envase tipo carrete
₡166,03
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 5.2 A 1 Ohms 20 V 4 V 6 nC - 55 C + 150 C 31.3 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
Hoja de datos
395En existencias
₡7 052,31
₡3 861,85
₡3 726,53
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 68.5 A 41 mOhms 20 V 4 V 300 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
1 029En existencias
₡4 803,90
₡2 571,10
₡2 373,32
₡2 368,12
₡2 284,84
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 75 mOhms 20 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
Hoja de datos
825En existencias
₡1 930,93
₡1 061,75
₡962,86
₡780,70
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 168 mOhms 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3
Hoja de datos
1 460En existencias
₡1 509,35
₡744,27
₡671,40
₡541,28
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 24.8 A 170 mOhms 20 V 2.5 V 47.2 nC - 55 C + 150 C 152 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
Hoja de datos
941En existencias
Cinta cortada
₡645,38
₡300,83
₡291,46
₡229,00
Envase tipo carrete
₡166,55
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT TO-252-3-11 N-Channel 1 Channel 600 V 3.6 A 2.9 Ohms 20 V 4 V 4.6 nC - 40 C + 150 C 22 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
380En existencias
500Se espera el 31/12/2026
₡1 488,53
₡759,88
₡660,99
₡530,87
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
Hoja de datos
967En existencias
500Se espera el 28/1/2027
₡874,38
₡414,81
₡370,05
₡290,42
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 490 mOhms 20 V 3 V 9 nC - 40 C + 150 C 21 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
1 470En existencias
Cinta cortada
₡1 243,91
₡608,94
₡546,49
₡459,05
Envase tipo carrete
₡405,96
₡369,53
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
460En existencias
Cinta cortada
₡2 310,87
₡1 186,66
₡1 072,16
₡910,81
Envase tipo carrete
₡858,77
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 439 mOhms 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
2En existencias
Cinta cortada
₡2 123,50
₡1 212,68
₡968,07
₡801,52
₡770,29
Envase tipo carrete
₡702,63
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 200 mOhms 20 V 4.5 V 23 nC - 40 C + 150 C 81 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
913En pedido
₡5 163,02
₡3 174,84
₡2 935,42
₡2 742,85
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 58 mOhms 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
1 000Se espera el 3/12/2026
₡1 269,94
₡645,38
₡577,72
₡458,53
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3
Hoja de datos
286Se espera el 25/2/2027
₡1 899,70
₡921,22
₡806,72
₡645,38
₡629,76
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 199 mOhms 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
Cinta cortada
₡1 004,50
₡629,76
₡413,77
₡328,41
Envase tipo carrete
₡256,07
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT ThinPAK-5 N-Channel 1 Channel 650 V 5.2 A 1 Ohms 20 V 4 V 6 nC - 55 C + 150 C 31.3 W Enhancement Reel, Cut Tape