Connected Driving Applications

Diodes Inc. Connected Driving Applications address issues such as finding a parking space, adaptive navigation through busy streets, or using technology to avoid congestion on major roads between cities, along with increasing driver and pedestrian safety. The ultimate objective is a fully autonomous car, which can only be enabled through high-speed data communications. Vehicle-to-Everything (V2X) communications include Vehicle-to-Car, Pedestrian, Device, and Grid fuelled by increased ADAS functionality. The volume of data generated, transferred, and processed within the car is increasing exponentially. Reliable high-speed data communications will be a part of every vehicle’s infrastructure. Diodes Inc. offers products to realize the vision of a fully autonomous, connected vehicle.

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Comparadores analógicos 36V Dual Comparator 25nA 0.6mA 25nA 1mV 26 233En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 120
: 2 500

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 3.0A Schotty Rect 40Vrrm 0.5Vr 0.5mA 19 128En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 600
: 3 000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 2.0A 100V Schottky 71Vr 40Ifsm 0.86Vf 24 556En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 260
: 3 000

Diodes Incorporated Reguladores y monitores de potencia y corriente Auto HS Curr Monitor 2MHz 4uA 500mV 3 593En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic 3 575En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET VDSS -20V -12VGSS 18 864En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 480
: 3 000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 20A TrechSBR 50Vrrm 20A 0.5Vf 0.5mA 17 894En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 160
: 2 500
Diodes Incorporated OSC Crystal Oscillator SEAM3225 T&R 3K 5 159En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated OSC Crystal Oscillator SEAM3225 T&R 3K 1 474En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000



Diodes Incorporated OSC Crystal Oscillator SEAM7050 T&R 1K 904En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic SEAM5032 T&R 1K 315En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V 92 236En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 900
: 2 500


Diodes Incorporated Temporizadores y productos de apoyo Automotive Grade Precision Timer 7 461En existencias
12 500Se espera el 14/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 020
: 2 500

Diodes Incorporated OSC Crystal Oscillator SEAM3225 T&R 3K 2 701En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic 6 172En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 240
: 3 000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic 4 568En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 440
: 3 000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic 3 649En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 220
: 3 000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic 4 693En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 340
: 3 000
Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 1.0A SBR 40Vrrm 28Vr 0.5Vf 0.5mA 30A 38 586En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 310
: 5 000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 5.0A Schottky Rec 40V 0.55V 0.5A 10 229En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 400
: 3 000
Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky Schottky Rectifier 1 389En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 690
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 4 166En existencias
5 000Se espera el 12/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 360
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 149 136En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 060
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A 10 168En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 270
: 2 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: -30V 81 690En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 960
: 3 000