Connected Driving Applications

Diodes Inc. Connected Driving Applications address issues such as finding a parking space, adaptive navigation through busy streets, or using technology to avoid congestion on major roads between cities, along with increasing driver and pedestrian safety. The ultimate objective is a fully autonomous car, which can only be enabled through high-speed data communications. Vehicle-to-Everything (V2X) communications include Vehicle-to-Car, Pedestrian, Device, and Grid fuelled by increased ADAS functionality. The volume of data generated, transferred, and processed within the car is increasing exponentially. Reliable high-speed data communications will be a part of every vehicle’s infrastructure. Diodes Inc. offers products to realize the vision of a fully autonomous, connected vehicle.

Todos los resultados (149)

Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS

Diodes Incorporated Reguladores y monitores de potencia y corriente Auto Grade MicPWR Current Monitor 3uA 4 638En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 140
: 3 000


Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 40Vrrm 1A SBR 0.425Vf 50uA 8 685En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 690
: 3 000

Diodes Incorporated OSC Crystal Oscillator SEAM3225 T&R 3K 5 136En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET VDSS -20V -12VGSS 18 401En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 480
: 3 000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic 3 542En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 170
: 3 000
Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 3.0A Schotty Rect 40Vrrm 0.5Vr 0.5mA 17 186En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 600
: 3 000

Diodes Incorporated Reguladores de tensión LDO 1A Low Dropout 1.2V Adj or Fixed 24 742En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 000
: 1 000


Diodes Incorporated Reguladores y monitores de potencia y corriente Auto HS Curr Monitor 2MHz 4uA 500mV 3 546En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic SEAM5032 T&R 1K 315En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000



Diodes Incorporated OSC Crystal Oscillator SEAM7050 T&R 1K 896En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Diodes Incorporated OSC Crystal Oscillator SEAM3225 T&R 3K 1 474En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V 86 598En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2 500
: 2 500

Diodes Incorporated Comparadores analógicos 36V Dual Comparator 25nA 0.6mA 25nA 1mV 24 131En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2 500
: 2 500

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic 5 691En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 230
: 3 000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic 11 641En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 280
: 3 000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic 3 952En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 270
: 3 000
Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic 4 999En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 000
: 1 000
Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 1.0A SBR 40Vrrm 28Vr 0.5Vf 0.5mA 30A 36 911En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5 000
: 5 000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 2.0A 100V Schottky 71Vr 40Ifsm 0.86Vf 21 094En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 350
: 3 000
Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 2.0A Schottky Rec 40vF 0.50V 0.1mA 8 331En existencias
9 000Se espera el 15/9/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 660
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 122 936En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW 19 889En existencias
15 000Se espera el 5/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 690
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A 10 904En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 270
: 2 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -40V 11mOhm 25Vgss 1.45W -10.1A 3 024En existencias
2 500Se espera el 9/8/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 160
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60 4 838En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 390
: 2 500