Connected Driving Applications

Diodes Inc. Connected Driving Applications address issues such as finding a parking space, adaptive navigation through busy streets, or using technology to avoid congestion on major roads between cities, along with increasing driver and pedestrian safety. The ultimate objective is a fully autonomous car, which can only be enabled through high-speed data communications. Vehicle-to-Everything (V2X) communications include Vehicle-to-Car, Pedestrian, Device, and Grid fuelled by increased ADAS functionality. The volume of data generated, transferred, and processed within the car is increasing exponentially. Reliable high-speed data communications will be a part of every vehicle’s infrastructure. Diodes Inc. offers products to realize the vision of a fully autonomous, connected vehicle.

Todos los resultados (149)

Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 2.0A SBR 60Vrrm 42Vr 50Ifsm 50A 3 774En existencias
3 000Se espera el 21/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky Schottky Rectifier 604En existencias
18 000Se espera el 25/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 880
: 3 000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky Schottky Diode 308En existencias
12 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 350
: 3 000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 30V Schottky 100mA 1000Vf 2uA 600Ifsm 312En existencias
33 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family 11 238En existencias
12 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 880
: 3 000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky Schottky Rectifier 1 389En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 690
: 3 000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky SBR Diode 370En existencias
24 000Se espera el 14/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 290
: 3 000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 1.0A High Volt Schot 200Vr 1.0A .85V .1mA 4 555En existencias
15 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 470
: 3 000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 2.0A Schottky Rec 40vF 0.50V 0.1mA 137En existencias
12 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 760
: 3 000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 2.0A Schottky Rec 60Vr 50A .62Vf 67pF 2 998En existencias
30 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 830
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 1 756En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 300
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 444En existencias
123 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS
106 908Se espera el 21/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enhancement Mode 3 220En existencias
9 000Se espera el 21/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 980
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs Complmtry Enh FET 453En existencias
84 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A 4 605En existencias
54 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 9 000
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch. 50V 500mA AEC-Q101 21 881En existencias
18 000Se espera el 12/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 570
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual N-Ch FET 40mOhm 10V 5.0A 1 904En existencias
2 500Se espera el 19/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson 188En existencias
12 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 770
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 3 550En existencias
213 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 15 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 193En existencias
2 500Se espera el 19/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 310
: 2 500


Diodes Incorporated Comparadores analógicos 36V Quad Comparator 25nA 0.9mA 25nA 2 333En existencias
5 000Se espera el 19/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 680
: 2 500

Diodes Incorporated Referencias de voltaje Prec MicroPwr Shunt 2.5V 15mA 60uA 35VHz 5 515En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 280
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr 5 278En existencias
42 000Se espera el 19/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 1.0A Schottky Rec 60Vrrm 42Vr 22A Ifsm 3 097En existencias
12 000Se espera el 21/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 800
: 3 000