Rectificadores y diodos Schottky 2.0A SBR 60Vrrm 42Vr 50Ifsm 50A
B260Q-13-F
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621-B260Q-13-F
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Rectificadores y diodos Schottky 2.0A SBR 60Vrrm 42Vr 50Ifsm 50A
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Rectificadores y diodos Schottky Schottky Rectifier
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Rectificadores y diodos Schottky Schottky Rectifier
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Rectificadores y diodos Schottky Schottky Diode
B560CQ-13-F
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Rectificadores y diodos Schottky Schottky Diode
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Rectificadores y diodos Schottky 30V Schottky 100mA 1000Vf 2uA 600Ifsm
BAT54WSQ-7-F
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Rectificadores y diodos Schottky 30V Schottky 100mA 1000Vf 2uA 600Ifsm
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family
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BSS138DWQ-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family
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Rectificadores y diodos Schottky Schottky Rectifier
DFLS1100Q-7
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Rectificadores y diodos Schottky Schottky Rectifier
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Rectificadores y diodos Schottky SBR Diode
DFLS1150Q-7
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Rectificadores y diodos Schottky SBR Diode
370 En existencias
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Rectificadores y diodos Schottky 1.0A High Volt Schot 200Vr 1.0A .85V .1mA
DFLS1200Q-7
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621-DFLS1200Q7
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Rectificadores y diodos Schottky 1.0A High Volt Schot 200Vr 1.0A .85V .1mA
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Rectificadores y diodos Schottky 2.0A Schottky Rec 40vF 0.50V 0.1mA
DFLS240LQ-7
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621-DFLS240LQ7
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Rectificadores y diodos Schottky 2.0A Schottky Rec 40vF 0.50V 0.1mA
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Rectificadores y diodos Schottky 2.0A Schottky Rec 60Vr 50A .62Vf 67pF
DFLS260Q-7
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621-DFLS260Q7
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Rectificadores y diodos Schottky 2.0A Schottky Rec 60Vr 50A .62Vf 67pF
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12 000 Se espera el 23/11/2026
18 000 Se espera el 21/12/2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
DMC1030UFDBQ-7
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621-DMC1030UFDBQ-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
1 756 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
DMG1013UWQ-7
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621-DMG1013UWQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
444 En existencias
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36 000 Se espera el 11/11/2026
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21 000 Se espera el 18/8/2027
45 000 Se espera el 24/11/2027
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40 Semanas
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₡39,56
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS
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DMG2305UXQ-7
Diodes Incorporated
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106 908 Se espera el 21/12/2026
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621-DMG2305UXQ-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS
106 908 Se espera el 21/12/2026
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3 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enhancement Mode
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DMG2307LQ-7
Diodes Incorporated
1:
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9 000 Se espera el 21/7/2026
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621-DMG2307LQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enhancement Mode
3 220 En existencias
9 000 Se espera el 21/7/2026
1
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3 000
₡100,97
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs Complmtry Enh FET
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DMG6602SVTQ-7
Diodes Incorporated
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453 En existencias
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621-DMG6602SVTQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs Complmtry Enh FET
453 En existencias
84 000 En pedido
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54 000 Se espera el 26/3/2027
30 000 Se espera el 10/5/2027
Plazo de entrega de fábrica:
40 Semanas
1
₡343,51
10
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₡134,28
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1 000
₡86,40
3 000
₡63,50
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Mult.: 1
Máx.: 3 000
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3 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A
+2 imágenes
DMG6968UQ-7
Diodes Incorporated
1:
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4 605 En existencias
54 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
621-DMG6968UQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A
4 605 En existencias
54 000 En pedido
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4 605 Se puede enviar inmediatamente
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24 000 Se espera el 21/1/2027
Plazo de entrega de fábrica:
40 Semanas
1
₡322,69
10
₡198,82
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₡126,99
500
₡95,77
1 000
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3 000
₡74,95
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 9 000
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3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch. 50V 500mA AEC-Q101
+2 imágenes
DMN53D0LQ-7
Diodes Incorporated
1:
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21 881 En existencias
18 000 Se espera el 12/2/2027
N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0LQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch. 50V 500mA AEC-Q101
21 881 En existencias
18 000 Se espera el 12/2/2027
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1
₡213,39
10
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100
₡81,19
500
₡60,37
1 000
₡52,57
3 000
₡52,57
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 570
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual N-Ch FET 40mOhm 10V 5.0A
+2 imágenes
DMN6040SSDQ-13
Diodes Incorporated
1:
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1 904 En existencias
2 500 Se espera el 19/10/2026
N.º de artículo de Mouser
621-DMN6040SSDQ-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual N-Ch FET 40mOhm 10V 5.0A
1 904 En existencias
2 500 Se espera el 19/10/2026
1
₡536,08
10
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₡217,03
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₡167,07
1 000
₡150,93
2 500
₡126,47
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Min.: 1
Mult.: 1
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2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson
+1 imagen
DMN61D8LVTQ-7
Diodes Incorporated
1:
₡390,35
188 En existencias
12 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
621-DMN61D8LVTQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson
188 En existencias
12 000 En pedido
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6 000 Se espera el 21/8/2026
6 000 Se espera el 3/2/2027
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1
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3 000
₡149,37
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Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS
+2 imágenes
DMN65D8LQ-7
Diodes Incorporated
1:
₡130,12
3 550 En existencias
213 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
621-DMN65D8LQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS
3 550 En existencias
213 000 En pedido
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3 550 Se puede enviar inmediatamente
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42 000 Se espera el 15/1/2027
45 000 Se espera el 5/2/2027
126 000 Se espera el 6/10/2027
Plazo de entrega de fábrica:
40 Semanas
1
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10
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1 000
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3 000
₡23,42
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 15 000
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
DMTH6016LPSQ-13
Diodes Incorporated
1:
₡572,51
193 En existencias
2 500 Se espera el 19/10/2026
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6016LPSQ-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
193 En existencias
2 500 Se espera el 19/10/2026
1
₡572,51
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2 500
₡231,61
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 310
Carrete :
2 500
Detalles
Comparadores analógicos 36V Quad Comparator 25nA 0.9mA 25nA
+1 imagen
LM2901AQT14-13
Diodes Incorporated
1:
₡166,55
2 333 En existencias
5 000 Se espera el 19/10/2026
N.º de artículo de Mouser
621-LM2901AQT14-13
Diodes Incorporated
Comparadores analógicos 36V Quad Comparator 25nA 0.9mA 25nA
2 333 En existencias
5 000 Se espera el 19/10/2026
1
₡166,55
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Ver
2 500
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₡73,91
2 500
₡73,91
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Mult.: 1
Máx.: 680
Carrete :
2 500
Detalles
Referencias de voltaje Prec MicroPwr Shunt 2.5V 15mA 60uA 35VHz
LM4040C25QFTA
Diodes Incorporated
1:
₡307,07
5 515 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-LM4040C25QFTA
Diodes Incorporated
Referencias de voltaje Prec MicroPwr Shunt 2.5V 15mA 60uA 35VHz
5 515 En existencias
1
₡307,07
10
₡217,03
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₡194,65
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3 000
₡157,70
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
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Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr
+2 imágenes
MMBF170Q-7-F
Diodes Incorporated
1:
₡213,39
5 278 En existencias
42 000 Se espera el 19/10/2026
N.º de artículo de Mouser
621-MMBF170Q-7-F
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr
5 278 En existencias
42 000 Se espera el 19/10/2026
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1
₡213,39
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500
₡59,33
1 000
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3 000
₡36,95
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
Carrete :
3 000
Detalles
Rectificadores y diodos Schottky 1.0A Schottky Rec 60Vrrm 42Vr 22A Ifsm
PD3S160Q-7
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser
621-PD3S160Q-7
Diodes Incorporated
Rectificadores y diodos Schottky 1.0A Schottky Rec 60Vrrm 42Vr 22A Ifsm
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