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UF4SC120023B7S

Name: onsemi UF4SC120023B7S
Brand: onsemi
SKU: 772-UF4SC120023B7S
Price: 14059.2 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

772-UF4SC120023B7S

Fabricante N.º:

UF4SC120023B7S

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC 1200V/23MOSICFETG4TO263-7

Hoja de datos:

UF4SC120023B7S Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡14 059,20	₡14 059,20
	₡10 248,60	₡102 486,00
	₡10 242,80	₡1 024 280,00
	₡9 570,00	₡4 785 000,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	₡9 570,00	₡7 656 000,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	72 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	23 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	6 V
Qg - Carga de puerta:	37.8 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	385 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SiC FET
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	SiC FET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	25 ns
Serie:	UF4SC
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	64 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	23 ns

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Hoja de datos

UF4SC120023B7S Hoja de datos

PCN

Product Change Notification 2025-9-26 (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

UF4SC120023B7S G4 Silicone Carbide (SiC) FETs

onsemi UF4SC120023B7S G4 Silicone Carbide (SiC) FETs are 1200V, 23mΩ devices based on a unique cascode circuit configuration. A normally-on SiC JFET is co-packaged in this configuration with a Si MOSFET, producing a normally-off SiC FET device. The device’s standard gate-drive characteristics allow the use of off-the-shelf gate drivers, thus requiring minimal re-design when replacing Si IGBTs, Si super junction devices, or SiC MOSFETs. Available in a space-saving D2PAK-7L package (enabling automated assembly), these devices exhibit an ultra-low gate charge and exceptional reverse recovery characteristics. onsemi UF4SC120023B7S G4 SiC FETs are ideal for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive.