Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

60 V

59 A

7.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5572A-AU_R2_002A1
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DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

75 A

7.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5574A-AU_R2_002A1
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DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

56 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

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AEC-Q101

Reel

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PJQ5576A-AU_R2_002A1
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DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

54 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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PJQ5590-AU_R2_002A1
Panjit
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