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NVBG070N120M3S

Name: onsemi NVBG070N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG070N120M3S
Price: 8343.49 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVBG070N120M3S

Fabricante N.º:

NVBG070N120M3S

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3

Hoja de datos:

NVBG070N120M3S Hoja de datos

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡8 343,49	₡8 343,49
	₡5 887,61	₡58 876,10
	₡5 356,32	₡535 632,00
	₡5 340,05	₡2 670 025,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	₡5 285,84	₡4 228 672,00
2 400	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	25 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	87 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.4 V
Qg - Carga de puerta:	57 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	172 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	KR
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	8.8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	12 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	12 ns
Serie:	NVBG070N120M3S
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	30 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns

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NVBG070N120M3S Hoja de datos

PCN

Product Change Notification 2025-9-26 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

M3S EliteSiC MOSFETs

onsemi M3S EliteSiC MOSFETs are solutions for high-frequency switching applications that employ hard-switched topologies. The onsemi M3S MOSFETs are designed to optimize performance and efficiency. The device has a remarkable ~40% reduction in total switching losses (Etot) compared to the 1200V 20mΩ M1 counterparts. The M3S EliteSiC MOSFETs are perfectly suited for various applications, including solar power systems, onboard chargers, and electric vehicle (EV) charging stations.

NVBG070N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFET

onsemi NVBG070N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFET is a 1200V M3S planar EliteSiC MOSFET designed for fast switching applications. This MOSFET offers optimum performance when driven with an 18V gate drive but also works well with a 15V gate drive. The NVBG070N120M3S SiC MOSFET features a 57nC ultra-low gate charge, 57pF high-speed switching with low capacitance, and 65mΩ typical drain-to-source ON resistance at V_GS=18V. This MOSFET is 100% Avalanche tested, AEC-Q101 qualified, and PPAP capable. The NVBG070N120M3S SiC MOSFET is available in a D2PAK-7L package and is Lead-free 2LI (on second-level interconnection) and RoHS compliant (with exemption 7a). Typical applications include automotive on-board chargers and DC/DC converters for EV/HEV.