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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Zener SuperMESH
Hoja de datos
37 915En existencias
Cinta cortada
₡1 061,75
₡515,78
₡450,20
₡359,64
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Envase tipo carrete
₡297,19
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000
Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 800 V 250 mA 16 Ohms 30 V 3 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH
Hoja de datos
3 825En existencias
Cinta cortada
₡1 087,77
₡530,87
₡458,01
₡373,69
Envase tipo carrete
₡311,76
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MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2.4 A 3.6 Ohms 30 V 4.5 V 11.8 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 600V Zener SuperMESH
Hoja de datos
2 570En existencias
₡1 717,54
₡988,88
₡884,79
₡728,65
₡687,01
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 1.2 Ohms 30 V 4.5 V 33 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
Hoja de datos
1 923En existencias
₡2 123,50
₡1 082,57
₡978,47
₡801,52
₡759,88
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5.2 A 1.8 Ohms 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
Hoja de datos
1 550En existencias
₡2 446,19
₡1 259,53
₡1 202,28
₡999,29
₡926,43
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5.2 A 1.8 Ohms 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
Hoja de datos
1 097En existencias
₡4 835,12
₡3 299,75
₡2 722,03
₡2 362,91
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 10 A 680 mOhms 30 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH
Hoja de datos
575En existencias
₡3 195,66
₡1 644,67
₡1 504,15
₡1 332,39
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 550 mOhms 30 V 3 V 66 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A
Hoja de datos
3 339En existencias
₡1 488,53
₡697,42
₡629,76
₡536,08
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 4.5 Ohms 30 V 4.5 V 19 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 500V-0.72ohms 7.2A
Hoja de datos
1 505En existencias
₡1 556,19
₡770,29
₡697,42
₡567,31
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 7.2 A 850 mOhms 30 V 3 V 32 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250 Volt 52 Amp Zener SuperMESH
Hoja de datos
591En existencias
₡3 939,92
₡2 066,25
₡1 899,70
₡1 753,97
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 52 A 45 mOhms 30 V 4.5 V 160 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp
Hoja de datos
571En existencias
₡3 856,65
₡2 019,41
₡1 686,31
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 7.2 A 1.35 Ohms 30 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 700V-0.75ohms Zener SuperMESH 8.6A
Hoja de datos
1 435En existencias
₡3 029,11
₡1 587,42
₡1 446,89
₡1 223,09
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8.6 A 850 mOhms 30 V 3.75 V 64 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 900V-1.56ohms Zener SuperMESH 5.8A
Hoja de datos
1 910En existencias
₡2 357,71
₡1 212,68
₡1 098,18
₡931,63
₡890,00
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 5.8 A 2 Ohms 30 V 3.75 V 46.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 950 VDSS <3.5 RDS 4A ID 90W Pw
Hoja de datos
6 491En existencias
Cinta cortada
₡1 613,44
₡952,45
₡874,38
₡785,90
₡775,49
Envase tipo carrete
₡744,27
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 4 A 3 Ohms 30 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 300 Volt 9 Amp Zener SuperMESH3
Hoja de datos
1 338En existencias
₡1 733,15
₡890,00
₡785,90
₡650,58
₡614,15
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 9 A 400 mOhms 30 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 500V-0.34ohms Zener SuperMESH 14A
Hoja de datos
1 443En existencias
₡2 841,74
₡1 493,74
₡1 363,62
₡1 129,41
₡1 124,21
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 14 A 380 mOhms 30 V 4.5 V 92 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5
Hoja de datos
999En existencias
₡4 116,88
₡2 696,01
₡2 217,18
₡1 972,56
₡1 764,38
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 330 mOhms 30 V 3 V 48 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet
Hoja de datos
7 655En existencias
Cinta cortada
₡863,97
₡345,59
₡296,67
₡252,95
Envase tipo carrete
₡224,84
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 620 V 2.7 A 2.5 Ohms 30 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH
Hoja de datos
3 593En existencias
Cinta cortada
₡1 327,19
₡650,58
₡582,92
₡465,30
₡442,92
Envase tipo carrete
₡402,32
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 4.5 Ohms 20 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 3 Amp Zener SuperMESH
Hoja de datos
3 370En existencias
Cinta cortada
₡1 186,66
₡577,72
₡514,22
₡409,61
₡384,62
Envase tipo carrete
₡340,90
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 400 V 3 A 1.8 Ohms 30 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5
Hoja de datos
2 613En existencias
₡3 601,62
₡1 936,13
₡1 769,58
₡1 603,03
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 330 mOhms 30 V 3 V 48 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
Hoja de datos
1 718En existencias
₡4 325,07
₡2 342,09
₡2 149,52
₡1 962,15
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 18.5 A 299 mOhms 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
Hoja de datos
2 858En existencias
₡2 279,64
₡1 321,98
₡1 191,87
₡1 004,50
₡973,27
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 750 mOhms 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 115 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 6.2Amp Zener SuperMESH
Hoja de datos
1 566En existencias
₡2 414,96
₡1 066,95
₡973,27
₡884,79
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6.2 A 1.5 Ohms 30 V 3 V 46 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 900V Zener SuperMESH 9.2A
Hoja de datos
770En existencias
₡4 325,07
₡2 290,05
₡1 962,15
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 9.2 A 980 mOhms 30 V 3 V 95 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement SuperMESH Tube