Resultados: 175
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Zener SuperMESH 37 915En existencias
Cinta cortada
₡1 061,75
₡515,78
₡450,20
₡359,64
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Envase tipo carrete
₡297,19
Min.: 1
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: 4 000
Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 800 V 250 mA 16 Ohms 30 V 3 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK 3 759En existencias
Cinta cortada
₡1 181,46
₡749,47
₡504,85
₡409,09
Envase tipo carrete
₡342,47
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Min.: 1
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: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 525 V 6 A 850 mOhms 30 V 3 V 33 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH 5 852En existencias
Cinta cortada
₡2 914,61
₡1 441,69
₡1 212,68
₡1 197,07
Envase tipo carrete
₡1 197,07
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 14 A 380 mOhms 30 V 3 V 92 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3 2 734En existencias
Cinta cortada
₡1 160,64
₡562,10
₡502,25
₡399,72
₡372,13
Envase tipo carrete
₡334,14
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 620 V 2.2 A 3.6 Ohms 30 V 3 V 15 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A 1 430En existencias
₡3 169,63
₡1 670,69
₡1 524,96
₡1 311,57
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6.5 A 1.6 Ohms 30 V 3 V 102 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH 1 491En existencias
₡2 175,55
₡1 113,80
₡1 009,70
₡858,77
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 14 A 340 mOhms 30 V 3 V 106 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 400V -.23 Zener SuperMESH 15A 1 585En existencias
₡2 826,13
₡1 472,92
₡1 342,80
₡1 113,80
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 15 A 250 mOhms 30 V 3 V 65 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH 2 855En existencias
₡2 992,68
₡1 795,61
₡1 384,44
₡1 238,71
₡1 145,02
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3.5 A 3.7 Ohms 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5 1 443En existencias
₡1 753,97
₡863,97
₡687,01
₡619,35
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 1.25 Ohms 30 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 1000V-6.25ohms Zener SuprMESH 1.85A 4 147En existencias
₡1 113,80
₡502,77
₡451,76
₡379,42
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 1.85 A 8.5 Ohms 30 V 3 V 16 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH 3 825En existencias
Cinta cortada
₡1 087,77
₡530,87
₡458,01
₡373,69
Envase tipo carrete
₡311,76
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2.4 A 3.6 Ohms 30 V 4.5 V 11.8 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 600V Zener SuperMESH 2 580En existencias
₡1 717,54
₡988,88
₡884,79
₡728,65
₡687,01
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 1.2 Ohms 30 V 4.5 V 33 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH 1 923En existencias
₡2 123,50
₡1 082,57
₡978,47
₡801,52
₡749,47
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5.2 A 1.8 Ohms 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH 1 550En existencias
₡2 446,19
₡1 259,53
₡1 202,28
₡999,29
₡926,43
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5.2 A 1.8 Ohms 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A 1 097En existencias
₡4 835,12
₡3 299,75
₡2 722,03
₡2 295,25
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 10 A 680 mOhms 30 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH 575En existencias
₡3 195,66
₡1 644,67
₡1 504,15
₡1 332,39
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 550 mOhms 30 V 3 V 66 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A 3 339En existencias
₡1 488,53
₡697,42
₡629,76
₡536,08
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 4.5 Ohms 30 V 4.5 V 19 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 500V-0.72ohms 7.2A 1 505En existencias
₡1 556,19
₡770,29
₡697,42
₡567,31
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 7.2 A 850 mOhms 30 V 3 V 32 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250 Volt 52 Amp Zener SuperMESH 591En existencias
₡3 939,92
₡2 066,25
₡1 899,70
₡1 753,97
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 52 A 45 mOhms 30 V 4.5 V 160 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp 571En existencias
₡3 856,65
₡2 019,41
₡1 852,86
₡1 707,13
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 7.2 A 1.35 Ohms 30 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH 3 888En existencias
Cinta cortada
₡1 353,21
₡713,04
₡624,56
₡511,10
₡481,95
Envase tipo carrete
₡455,41
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 900 V 2.1 A 6.5 Ohms 30 V 3 V 19.5 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 900V-5ohms Zener SuperMESH 2.1A 2 937En existencias
₡1 405,26
₡687,01
₡624,56
₡525,67
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 900 V 2.1 A 6.5 Ohms 30 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5 1 381En existencias
₡4 101,27
₡2 211,98
₡2 029,82
₡1 759,17
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 18.5 A 299 mOhms 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH 709En existencias
₡3 388,23
₡1 753,97
₡1 603,03
₡1 415,67
₡1 405,26
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 14 A 340 mOhms 30 V 4.5 V 76 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5 560En existencias
₡5 423,25
₡3 513,14
₡3 091,56
₡2 388,94
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 18.5 A 299 mOhms 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement SuperMESH Tube