OptiMOS™ 5 75V-100V Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V to 100V Automotive MOSFETs are designed for high-performance applications and feature an extended qualification that goes beyond AEC-Q101 standards. The N-channel enhancement mode device combines a robust design with advanced technology, integrating Linear FET (LINFET) and low RDS(on) FET (ONFET) characteristics into a single package. This dual-gate configuration provides dedicated gate pins for each MOSFET, enhancing flexibility and control in circuit design. The Linear FET boasts an improved Safe Operating Area (SOA) and superior paralleling capabilities, ensuring reliable linear operation under varying conditions. The Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V to 100V MOSFETs operate within a wide -55°C to +175°C temperature range and are available in a PG-HSOF-8-2 package. 

Resultados: 60
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
6 386En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 100 V 250 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 128 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
1 546En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 81 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
6 839En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 67 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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6 045En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 200 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 110 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, 11.3 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 5
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4 000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT LHDSO-10 N-Channel 1 Channel 100 V 61 A 11.3 mOhms 20 V 2.2 V 20 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
2 368En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 220 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 81 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
3 879En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 240 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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2 840En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PG-HSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 80 V 370 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 149 nC - 55 C + 175 C 325 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
3 445En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PG-HSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 80 V 350 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 138 nC - 55 C + 175 C 307 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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98En existencias
4 000Se espera el 18/5/2026
Min.: 1
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: 2 000

Si SMD/SMT PG-HSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 100 V 310 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 142 nC - 55 C + 175 C 325 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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5 314En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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: 5 000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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4 075En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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2 353En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8-2 N-Channel 2 Channel 80 V 410 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 178 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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7 150En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800
Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 410 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 178 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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21 655En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 4 Ohms - 20 V, 20 V 1.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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16 758En existencias
20 000Se espera el 1/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
7 233En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 100 V 300 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 166 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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3 875En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 170 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 67 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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1 491En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 180 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 67 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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1 430En existencias
2 000Se espera el 30/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 210 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 91 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
1 023En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 250 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 96 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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9 190En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 76 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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11 605En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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2 092En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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4 480En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si Reel, Cut Tape