Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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₡1 756,53
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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N.º de artículo de Mouser
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
790 En existencias
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SMD/SMT
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(
862 En existencias
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Si
SMD/SMT
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Infineon Technologies
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52 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(
487 En existencias
52 000 En pedido
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487 Se puede enviar inmediatamente
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32 000 Se espera el 11/6/2026
20 000 Se espera el 18/6/2026
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18 Semanas
1
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IAUZ30N08S5N186ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ30N08S5N186A
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
2 535 En existencias
1
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Si
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUC28N08S5L230ATMA1
Infineon Technologies
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10 000 Se espera el 28/1/2027
N.º de artículo de Mouser
726-IAUC28N08S5L230A
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
10 000 Se espera el 28/1/2027
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Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
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80 V
28 A
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- 20 V, 20 V
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Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 9.6 m max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 5
IAUC50N08S5L096ATMA1
Infineon Technologies
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5 000 Se espera el 22/10/2026
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726-IAUC50N08S5L096A
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 9.6 m max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 5
5 000 Se espera el 22/10/2026
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Si
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, 1.4 m max, Automotive MOSFET, TOLG (10x12), OptiMOS-5
IAUS300N10S5N014ATMA1
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1 800 Se espera el 25/2/2027
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726-IAUS300N10S5N014
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, 1.4 m max, Automotive MOSFET, TOLG (10x12), OptiMOS-5
1 800 Se espera el 25/2/2027
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Si
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.10m max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12), OptiMOS 5
IAUT300N08S5N011ATMA1
Infineon Technologies
1:
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2 000 Se espera el 16/7/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IAUT300N08S5N011
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.10m max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12), OptiMOS 5
2 000 Se espera el 16/7/2026
1
₡3 513,05
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Si
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUZ40N10S5L120ATMA1
Infineon Technologies
1:
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9 900 Se espera el 28/5/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ40N10S5L120A
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
9 900 Se espera el 28/5/2026
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Reel, Cut Tape