OptiMOS™ 5 75V-100V Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V to 100V Automotive MOSFETs are designed for high-performance applications and feature an extended qualification that goes beyond AEC-Q101 standards. The N-channel enhancement mode device combines a robust design with advanced technology, integrating Linear FET (LINFET) and low RDS(on) FET (ONFET) characteristics into a single package. This dual-gate configuration provides dedicated gate pins for each MOSFET, enhancing flexibility and control in circuit design. The Linear FET boasts an improved Safe Operating Area (SOA) and superior paralleling capabilities, ensuring reliable linear operation under varying conditions. The Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V to 100V MOSFETs operate within a wide -55°C to +175°C temperature range and are available in a PG-HSOF-8-2 package. 

Resultados: 60
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 4 356En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 70 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 3 610En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 231 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 1 800En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 187 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V( 3 841En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 240 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 2 511En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 260 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 128 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 1 906En existencias
10 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 187 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 1 500En existencias
6 000Se espera el 18/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 300 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 166 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 5 258En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 20 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 17 401En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 30 A 26 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 45.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 7 780En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8-33 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 17 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 2 260En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT HDSOP-16-2 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 178 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 2 315En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 144 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 48En existencias
25 000Se espera el 1/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 238En existencias
25 000Se espera el 28/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 24 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 7.6 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 480En existencias
5 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 90 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 376En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 165 A 4.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 90 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 790En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 200 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 110 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V( 862En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 165 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 90 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V( 487En existencias
52 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 231 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 2 535En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
10 000Se espera el 28/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 28 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 11.6 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 9.6 m max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 5
5 000Se espera el 22/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, 1.4 m max, Automotive MOSFET, TOLG (10x12), OptiMOS-5
1 800Se espera el 25/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.10m max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12), OptiMOS 5
2 000Se espera el 16/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
9 900Se espera el 28/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si Reel, Cut Tape