OptiMOS™ 5 75V-100V Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V to 100V Automotive MOSFETs are designed for high-performance applications and feature an extended qualification that goes beyond AEC-Q101 standards. The N-channel enhancement mode device combines a robust design with advanced technology, integrating Linear FET (LINFET) and low RDS(on) FET (ONFET) characteristics into a single package. This dual-gate configuration provides dedicated gate pins for each MOSFET, enhancing flexibility and control in circuit design. The Linear FET boasts an improved Safe Operating Area (SOA) and superior paralleling capabilities, ensuring reliable linear operation under varying conditions. The Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V to 100V MOSFETs operate within a wide -55°C to +175°C temperature range and are available in a PG-HSOF-8-2 package. 

Resultados: 58
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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4 144En existencias
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Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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6 281En existencias
Min.: 1
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Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 24 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 7.6 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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4 593En existencias
Min.: 1
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Carrete: 5 000
Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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5 362En existencias
Min.: 1
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Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 70 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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3 778En existencias
25 000Se espera el 9/7/2026
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 90 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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4 605En existencias
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Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 231 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(
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883En existencias
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Carrete: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 240 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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675En existencias
1 900Se espera el 6/3/2026
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Min.: 1
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Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 260 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 128 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(
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1 018En existencias
7 500En pedido
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Min.: 1
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Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 231 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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3 522En existencias
Min.: 1
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Carrete: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 187 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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563En existencias
1 800Se espera el 13/11/2026
Min.: 1
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Carrete: 1 800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 144 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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126En existencias
10 000En pedido
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Min.: 1
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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41En existencias
4 000Se espera el 5/3/2026
Min.: 1
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Carrete: 2 000

Si SMD/SMT PG-HSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 80 V 370 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 149 nC - 55 C + 175 C 325 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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414En existencias
Min.: 1
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Carrete: 1 800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 165 A 4.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 90 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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415En existencias
8 000Se espera el 30/4/2026
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Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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3 811Se espera el 12/3/2026
Min.: 1
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Carrete: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 180 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 67 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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7 392Se espera el 7/8/2026
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Min.: 1
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Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 76 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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4 964Se espera el 1/4/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 4 Ohms - 20 V, 20 V 1.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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10 000Se espera el 16/2/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 28 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 11.6 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
5 504Se espera el 12/3/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 300 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 166 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1
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Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 18 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 5.4 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
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Si Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
Carrete: 5 000

Si Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si Reel, Cut Tape